100MHz的超高频率和低于2ns的超短脉冲
发布时间:2021/3/12 23:29:18 访问次数:507
EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。
开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。
由于外形小巧且集成了多个功能，因此与采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比，其占板面积小36％。
应用
用于轨道车辆的逆变器和转换器
可再生能源发电系统
工业电机控制设备
特性
漏源额定电压：VDSS＝3300V
漏极额定电流：ID＝800A双通道
宽通道温度范围：Tch＝175℃
低损耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
低杂散电感：Ls＝12nH（典型值）
高功率密度的小型iXPLV封装
播放高分辨率声音源*1的高音质音响设备用的32位D/A转换器IC（以下称“DAC芯片”※）“BD34301EKV”及其评估板“BD34301EKV-EVK-001”，现已开始全面销售。
为了与音响设备的DAC区分，在这里表述为“DAC芯片”。
通常认为，音响设备的DAC芯片是决定音响设备音质的最重要部件之一，因为需要从高分辨率音源数据中更大程度地提取信息量并将其转换为模拟信号。
一直以来，ROHM的音频产品开发都非常注重音质。
(素材来源：eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。
开启和断开时间分别为410 ps和320 ps。 EPC21601集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。
由于外形小巧且集成了多个功能，因此与采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比，其占板面积小36％。
应用
用于轨道车辆的逆变器和转换器
可再生能源发电系统
工业电机控制设备
特性
漏源额定电压：VDSS＝3300V
漏极额定电流：ID＝800A双通道
宽通道温度范围：Tch＝175℃
低损耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
低杂散电感：Ls＝12nH（典型值）
高功率密度的小型iXPLV封装
播放高分辨率声音源*1的高音质音响设备用的32位D/A转换器IC（以下称“DAC芯片”※）“BD34301EKV”及其评估板“BD34301EKV-EVK-001”，现已开始全面销售。
为了与音响设备的DAC区分，在这里表述为“DAC芯片”。
通常认为，音响设备的DAC芯片是决定音响设备音质的最重要部件之一，因为需要从高分辨率音源数据中更大程度地提取信息量并将其转换为模拟信号。
一直以来，ROHM的音频产品开发都非常注重音质。
(素材来源：eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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