72Mb产品管线式或流通式结构的时钟速度
发布时间:2021/1/26 23:03:59 访问次数:191
新的72Mb产品可以是管线式或流通式结构。
管线结构支持高达250MHz的时钟速度，提供高达9Gbps的带宽和一个时钟的初始等待。采用先进的频率检测电路，这些器件在每个时钟周期内能提供有效数据多60%，有效数据的窗口从2.4ns到4.1ns，最大化用户时序预知。
用流通式结构设计的产品，支持时钟速度133MHz，带宽高达4.8Gbps，初始等待小于一个周期。两种结构器件有3.3V和2.5V的BGA，fBGA或TQFP封装，配置有4MbX18,2MbX46或1MbX72。
制造商:Texas Instruments 产品种类:差分放大器 通道数量:2 Channel SR - 转换速率 :4.5 V/us CMRR - 共模抑制比:80 dB Vos - 输入偏置电压 :250 uV 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电源电流:950 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube 放大器类型:Differential 产品:Differential Amplifiers 商标:Texas Instruments 输入电压范围—最大:Positive Rail x 1.1 - 1.65 V 3dB带宽:150 kHz 增益误差:0.05 % 增益V/V:10 V/V 湿度敏感性:Yes 工作电源电压:4.5 V to 36 V 产品类型:Differential Amplifiers 工厂包装数量50 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:- 14.85 V 单位重量:129.400 mg
东芝公司能提供二，三或四种存储器容量上的半定制组合，以满足下一代有丰富多彩功能手机的要求。
下面是各种存储器的主要性能：
NOR：32Mb 到128Mb; 1.65V 道3.3V;存取时间65ns 或70ns；
PSRAM：32Mb, 64Mb 或128Mb; 2.6V 到3.3V; 存取时间65ns 或75ns；
LP SRAM：4Mb 到16Mb, 1.65V 到3.6V; 存取时间40, 55, 70ns；
NAND：128Mb 和256Mb; 2.6 到3.6V; 存取时间50ns，x8 或x16 配置；
低功耗SDRAM：128Mb 和256Mb, 1.8V, x16 配置。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新的72Mb产品可以是管线式或流通式结构。
管线结构支持高达250MHz的时钟速度，提供高达9Gbps的带宽和一个时钟的初始等待。采用先进的频率检测电路，这些器件在每个时钟周期内能提供有效数据多60%，有效数据的窗口从2.4ns到4.1ns，最大化用户时序预知。
用流通式结构设计的产品，支持时钟速度133MHz，带宽高达4.8Gbps，初始等待小于一个周期。两种结构器件有3.3V和2.5V的BGA，fBGA或TQFP封装，配置有4MbX18,2MbX46或1MbX72。
制造商:Texas Instruments 产品种类:差分放大器 通道数量:2 Channel SR - 转换速率 :4.5 V/us CMRR - 共模抑制比:80 dB Vos - 输入偏置电压 :250 uV 电源电压-最大:36 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电源电流:950 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-14 封装:Tube 放大器类型:Differential 产品:Differential Amplifiers 商标:Texas Instruments 输入电压范围—最大:Positive Rail x 1.1 - 1.65 V 3dB带宽:150 kHz 增益误差:0.05 % 增益V/V:10 V/V 湿度敏感性:Yes 工作电源电压:4.5 V to 36 V 产品类型:Differential Amplifiers 工厂包装数量50 子类别:Amplifier ICs Vcm - 共模电压:- 14.85 V 单位重量:129.400 mg
东芝公司能提供二，三或四种存储器容量上的半定制组合，以满足下一代有丰富多彩功能手机的要求。
下面是各种存储器的主要性能：
NOR：32Mb 到128Mb; 1.65V 道3.3V;存取时间65ns 或70ns；
PSRAM：32Mb, 64Mb 或128Mb; 2.6V 到3.3V; 存取时间65ns 或75ns；
LP SRAM：4Mb 到16Mb, 1.65V 到3.6V; 存取时间40, 55, 70ns；
NAND：128Mb 和256Mb; 2.6 到3.6V; 存取时间50ns，x8 或x16 配置；
低功耗SDRAM：128Mb 和256Mb, 1.8V, x16 配置。
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