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线性激励器和MLA和微型电介质多层滤波器

发布时间:2021/1/26 23:05:26 访问次数:542

P1X4A CWDW复接器/分路器,由MLA和微型电介质多层滤波器组成,尺寸为7.2x14.5x4.7mm。其特性包括有典型插入损耗2dB,串音最低为30dB,主通道波长为1,510, 1,530, 1,550和1,570 nm,有效波长间隔为13nm。

P1S18A单模1X8光转换尺寸为16x44x8.5mm,集成了线性激励器和MLA。其特性包括有插入损耗2dB,串音最大限度为55dB,回波损耗最低为35dB,波长范围从1290到1580nm,5Vdc驱动压力,转换功率损耗为800mW。

制造商:Power Integrations 产品种类:交流/直流转换器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMD-8C 输出电压:700 V 输出功率:48 W 输入/电源电压—最小值:- 0.3 V 输入/电源电压—最大值:9 V 开关频率:132 kHz 占空比 - 最大:78 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C 输出电流:6.88 A 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 类型:Off Line Converter 商标:Power Integrations 湿度敏感性:Yes 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:1.005 g

手机设计者通常采用NOR闪存来存储代码,而低功耗SRAM或快速成本效率的PSRAM用作工作存储器。

为了适应增加的应用功能和数据存储对存储器的要求,NAND闪存正在变得受欢迎,因为它的每位成本低,而新的低功耗SDRAM正在成为有丰富多彩特性的工作存储器的新解决方案,3G手机执行存储在NAND闪存的代码。

低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高,和NAND闪存组合,给手机存储器子系统提供了成本效率的高性能解决方案。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

P1X4A CWDW复接器/分路器,由MLA和微型电介质多层滤波器组成,尺寸为7.2x14.5x4.7mm。其特性包括有典型插入损耗2dB,串音最低为30dB,主通道波长为1,510, 1,530, 1,550和1,570 nm,有效波长间隔为13nm。

P1S18A单模1X8光转换尺寸为16x44x8.5mm,集成了线性激励器和MLA。其特性包括有插入损耗2dB,串音最大限度为55dB,回波损耗最低为35dB,波长范围从1290到1580nm,5Vdc驱动压力,转换功率损耗为800mW。

制造商:Power Integrations 产品种类:交流/直流转换器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMD-8C 输出电压:700 V 输出功率:48 W 输入/电源电压—最小值:- 0.3 V 输入/电源电压—最大值:9 V 开关频率:132 kHz 占空比 - 最大:78 % 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 150 C 输出电流:6.88 A 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 类型:Off Line Converter 商标:Power Integrations 湿度敏感性:Yes 产品类型:AC/DC Converters 工厂包装数量1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:1.005 g

手机设计者通常采用NOR闪存来存储代码,而低功耗SRAM或快速成本效率的PSRAM用作工作存储器。

为了适应增加的应用功能和数据存储对存储器的要求,NAND闪存正在变得受欢迎,因为它的每位成本低,而新的低功耗SDRAM正在成为有丰富多彩特性的工作存储器的新解决方案,3G手机执行存储在NAND闪存的代码。

低功耗SDRAM的典型速度83MHz或更高,和NAND闪存组合,给手机存储器子系统提供了成本效率的高性能解决方案。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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