可变衰减器的模拟控制50-4000MHz双路模拟电压
发布时间:2020/12/28 19:30:31 访问次数:706
MAX19791是50-4000MHz双路模拟电压可变衰减器(VVA).器件包括专利控制电路,为每个衰减器23dB衰减范围,其典型线性控制斜率8dB/V.两个衰减器共享共同的模拟控制,并级联以获得46dB总衰减和典型线性控制斜率16dB/V(5V工作).
器件的4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19791是单片集成电路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工艺,工作电压5V或3.3V,紧凑的36引脚TQFN封装(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度线性,整个衰减范围内IIP3大于+37.4dBm,输入P1dB为+22.6dBm.
产品特点
全球通用电压:85 - 264VAC/100 - 370VDC
高功率密度,小体积:3”x 2”x 1.03”
工作温度范围:-40℃ to +70℃
4000VAC高隔离电压
满足5000m海拔高度要求
极低漏电流<75μA
空载功耗<0.3W
输出短路、过流、过压保护
效率高达91%
满足2 x MOPP 安全认证
适用于BF类应用(漏电流要求更高)
符合EC/EN/ES60601-1,UL/EN/IEC62368-1,IEC/EN60335-1,IEC/EN61558-1,GB4943-1等认证标准
用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/卫星调制解调器,微波点对点系统,温度补偿电路,自动控制电平(ALC),发送器增益控制,线性增益微调,接收器增益控制和通用测试设备.
驱动三相无刷马达的低压栅极驱动器,它是单片三路半桥栅极驱动器,用来驱动N沟功率MOSFET.每个驱动器电流为600mA(沉/源).器件集成了低压降线性稳压器,通过自举电路产生低边和高边栅极驱动器的电源电压.器件提供低边和高边两部分的欠压锁住(UVLO),避免功率开关工作低效率或危险条件.
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
MAX19791是50-4000MHz双路模拟电压可变衰减器(VVA).器件包括专利控制电路,为每个衰减器23dB衰减范围,其典型线性控制斜率8dB/V.两个衰减器共享共同的模拟控制,并级联以获得46dB总衰减和典型线性控制斜率16dB/V(5V工作).
器件的4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19791是单片集成电路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工艺,工作电压5V或3.3V,紧凑的36引脚TQFN封装(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度线性,整个衰减范围内IIP3大于+37.4dBm,输入P1dB为+22.6dBm.
产品特点
全球通用电压:85 - 264VAC/100 - 370VDC
高功率密度,小体积:3”x 2”x 1.03”
工作温度范围:-40℃ to +70℃
4000VAC高隔离电压
满足5000m海拔高度要求
极低漏电流<75μA
空载功耗<0.3W
输出短路、过流、过压保护
效率高达91%
满足2 x MOPP 安全认证
适用于BF类应用(漏电流要求更高)
符合EC/EN/ES60601-1,UL/EN/IEC62368-1,IEC/EN60335-1,IEC/EN61558-1,GB4943-1等认证标准
用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/卫星调制解调器,微波点对点系统,温度补偿电路,自动控制电平(ALC),发送器增益控制,线性增益微调,接收器增益控制和通用测试设备.
驱动三相无刷马达的低压栅极驱动器,它是单片三路半桥栅极驱动器,用来驱动N沟功率MOSFET.每个驱动器电流为600mA(沉/源).器件集成了低压降线性稳压器,通过自举电路产生低边和高边栅极驱动器的电源电压.器件提供低边和高边两部分的欠压锁住(UVLO),避免功率开关工作低效率或危险条件.
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