触针与阻挡层间的电容较小频率低于50千赫
发布时间:2020/12/15 23:04:48 访问次数:1099
二极管是一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过（顺向偏压），反向时阻断（逆向偏压），对电路进行整流功能的元器件，二极管亦可成为电子版的逆止阀。此外变容二极管可用来当做电子式的可调电容器；
二极管按其结构和制造工艺不同，可分为点接触型和面接触型两种。其两者最大的区别就是，点接触型二极管具有较小的接触面积，触针与阻挡层间的电容较小，适用于在频率较高的场合工作。而面接触型二极管的极间电容较大，适宜在频率低于50千赫一下的地方工作，常用于整流；
二极管具有整流电路、检波电路、稳压电路等功能。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F103VC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存储器大小:256 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:72 MHz 输入/输出端数量:80 I/O 数据 RAM 大小:48 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.4 mm 长度:14 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:14 mm 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:16 Channel 计时器/计数器数量:8 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 单位重量:1.319 g
MOS管 和IGBT是现代电子设备中使用频率较高的新型功率半导体器件，由于其外形及静态参数十分相似，作为初学者在选择、判断上比较困难。因此一些MOS管 和IGBT的特点，希望大家更好的理解国产MOS管与IGBT的区别。
国产MOS管即是金属氧化物半导体绝缘栅场效应管，英文全称为MOSEFT。是单极性电压驱动器件，其具有输入阻抗高开关速度快、低通导电阻、电流流通能力强的特点。MOS管当用作在电源开关时，是产品主要的热源，需要靠外部散热，是降低IC可靠性，导致系统不稳定的罪魁祸首。由于MOS管的结点电容比较大，应尽量零电压开通以达到减少损耗的目的。
(素材来源：icgu和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
二极管是一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过（顺向偏压），反向时阻断（逆向偏压），对电路进行整流功能的元器件，二极管亦可成为电子版的逆止阀。此外变容二极管可用来当做电子式的可调电容器；
二极管按其结构和制造工艺不同，可分为点接触型和面接触型两种。其两者最大的区别就是，点接触型二极管具有较小的接触面积，触针与阻挡层间的电容较小，适用于在频率较高的场合工作。而面接触型二极管的极间电容较大，适宜在频率低于50千赫一下的地方工作，常用于整流；
二极管具有整流电路、检波电路、稳压电路等功能。
制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F103VC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存储器大小:256 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:72 MHz 输入/输出端数量:80 I/O 数据 RAM 大小:48 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.4 mm 长度:14 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:14 mm 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:16 Channel 计时器/计数器数量:8 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 单位重量:1.319 g
MOS管 和IGBT是现代电子设备中使用频率较高的新型功率半导体器件，由于其外形及静态参数十分相似，作为初学者在选择、判断上比较困难。因此一些MOS管 和IGBT的特点，希望大家更好的理解国产MOS管与IGBT的区别。
国产MOS管即是金属氧化物半导体绝缘栅场效应管，英文全称为MOSEFT。是单极性电压驱动器件，其具有输入阻抗高开关速度快、低通导电阻、电流流通能力强的特点。MOS管当用作在电源开关时，是产品主要的热源，需要靠外部散热，是降低IC可靠性，导致系统不稳定的罪魁祸首。由于MOS管的结点电容比较大，应尽量零电压开通以达到减少损耗的目的。
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