依靠先进的薄膜过程技术制造的TMR元件是一种薄膜元件，具有2层强磁性体层(自由层/固定层)夹住1～2nm的薄绝缘体的势垒层的结构。固定层的磁化方向被固定，但自由层的磁化方向根据外部磁场方向而变，元件的电阻也随之而变。当固定层与自由层的磁化方向平行时，电阻最小，势垒层流过大电流。当磁化方向为反向平行时，电阻极端地变大，势垒层几乎没有电流流过。

当自由层与固定层的磁化方向平行时，电阻变小，流过大电流。

当自由层与固定层的磁化方向为反向平行时，电阻变大，只流过微弱的电流。

TMR传感器的输出是AMR传感器的20倍，GMR传感器的6倍

51欧电阻表示方法: 0510 51R 51Ω 51欧姆 51ohm

300欧电阻表示方法: 3000 300R 300Ω 300欧姆 300ohm

750欧电阻表示方法: 7500 750R 750Ω 750欧姆 750ohm

1K欧电阻表示方法: 1001 1KR 1KΩ 1000欧姆 1000ohm

1.5K欧电阻表示方法: 1501 1.5KR 1.5KΩ 1500欧姆 1500ohm

2K欧电阻表示方法: 2001 2KR 2KΩ 2000欧姆 2000ohm

3.3K欧电阻表示方法: 3301 3.3KR 3.3KΩ 3300欧姆 3300ohm

3.9K欧电阻表示方法: 3901 3.9KR 3.9KΩ 3900欧姆 3900ohm

运动解决方案(包括陀螺仪、加速度计、罗盘和压力传感器)在三维空间中检测、追踪物体的运动，使消费者可通过在自由空间中追踪运动并将这些运动作为输入命令发送，来与他们的电子设备进行交互。所有InvenSense产品均具有行业领先的相对精度、传感器吞吐量和温度稳定性。

运动传感器是一类对物理运动参数(包括加速度、旋转或位置变化)作出反应或感知这些物理量的设备。

InvenSense是第一家提供运动接口解决方案的公司，这些解决方案中包括完全集成的传感器和稳健的MotionFusion™(移动融合)固件算法。我们的MotionTracking™(运动追踪)设备使我们的客户能够以最小的开发成本和工作量直接方便地将运动接口功能集成到设备中。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）