加速微波和RF功率放大器的设计，三菱公司电子器件采用基于软件的加速器工具包能加速SMD大功率GaAs FET的设计。

加速器工具包具有三菱公司的DataSurveyor处理软件的特点，它能使设计者形象地观察MGF09XXA器件在电路中从0.5-6GHz的性能数据。这个工具包包括有DataSurveyor软件的CD-ROM，MGF09XXA系列中每一个器件的样品，两块参考板以及单级和推挽放大器。

ISL6657还能用在电压调整器，高性能DC/DC转换器，PC机和母板中，负载电流可达到30-100A。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管 产品类型:TVS Diodes 极性:Bidirectional 工作电压:33.3 V 通道数量:1 Channel 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AB-2 击穿电压:37.1 V 钳位电压:69.7 V 峰值脉冲功耗 (Pppm):1.5 kW Vesd - 静电放电电压触点:30 kV Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV Cd - 二极管电容 :- Ipp - 峰值脉冲电流:143 A 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 2500 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商标名: Vf - 正向电压:- 单位重量:250 mg

HIP660XA 系列 MOSFET驱动器一起，ISL6557多相PWM控制器给工程师提供了一种有效的，快速的和良好性能价格比的先进内核功率解决方案，特别满足下一代的处理器对功率的要求。这些处理器采用5位VID总线，需要高精度和宽动态范围的供电电源。处理器内核的电源随不同的应用而不同，但是不能有突变或超出正常值，因为电流浪涌是有害的。

ISL6657设计成跃变电压每次为25mV，以避免电流浪涌的出现。器件本身有独立的使能脚，当打开ATX计算机时，允许起动时和HIP660XA MOSFET驱动器协调一致。通过使用特定的电流引脚，ISL6657也能在模快之间分配电流。

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