近日消息，据外电报道，韩国现代(Hynix)半导体公司对外表示，它已经与总部位于日内瓦的STMicroelectronics公司(ST)签订了合作协议。双方同意将在中国江苏省无锡市合资组建一家芯片加工厂。 　　现代称，该合资公司投资额为20亿美元，合作双方将各出5亿美元，中国金融机构将提供另外的10亿美元。现代将拥有该合资公司67%的股份，其余的股份则归ST所有。两家公司表示，新建工厂将生产动态随机存取存储芯片(DRAM)及NAND闪存芯片。NAND闪存主要应用于数码相机及MP3音乐播放器等电子产品。DRAM芯片则大部分应用于PC机。

　　两家公司称，组建该合资工厂将有利于现代DRAM产品的稳定增长，同时也有利于ST增加其NAND闪存的产能。工厂将于明年年初开始动工。工厂建成后将聘用1500名左右的员工，拥有8英寸和12英寸晶片的生产线。这两条生产线分别定于06年和07年投产。12英寸晶片投产后，将有利于两定公司提高产能和降低成本。两条生产线各自的月产能将达到2万片左右。

　　业界人士认为，从长远看，现代愿意中国内地组建加工厂，将对于保持它的市场竞争力十分有利。