在靠近FET的位置布置陶瓷储能电容器，使得高 △l/△t的输入和输出环路结构非常紧凑。

对称布局和覆铜处理意味着 FET 之间以及 FET 与旁路二极管之间的连接的阻抗和电感极低。

具反向几何形状的电流分路器，可进一步降低寄生电感；HF 电流环路也可减至最小。

由于没有其它大型器件阻碍热连接，因此 PCB 底面上的半导体可以得到更好的冷却。

超快恢复肖特基二极管紧邻相应的 FET 布置。

大面积覆铜可以作为良好的散热片并提供低 RDC，但不得超过必要的面积，特别是在两个“热”△U/△t 开关节点上，以免形成不必要的天线。

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在国际巨头寡占的射频前段市场，模组化产品才是国际竞争的主赛道，而在国内射频前端市场，分立器件仍是当前本土竞争的主赛道，本土公司缺乏先进滤波器技术及产品，模组化能力普遍不强。

在射频前端模块领域，中低端的同质化和高端的工艺、技术瓶颈并存，这也是当下国内手机射频前端厂商的困境，特别是滤波器的技术短板，成为高度集成的大阻碍。

虽然阻碍重重，但在技术发展和市场需求的双重作用下，5G时代的射频前端模块化的重要性不言而喻，PAMiD正成为5G手机射频前端模块设计的下一个风向标。

全新PON/FTTH服务需求带来的压力往往会导致仅开展最低程度的测试，甚至不进行测试，这会使得技术人员在20％到50％的时间内都无法在首次到访作业时完成安装和激活，从而导致客户体验欠佳，并造成收入损失。

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