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单核Cortex-M7扩展到三核或双核锁步系统

发布时间:2020/11/26 12:00:47 访问次数:2894

Cortex-M7内核用于一系列汽车微控制器单元(MCU)。新的S32K3系列提高了处理器内存和性能,并具有锁步模式之类的功能。非对称Cortex片上系统(SoC)很常见,但它们通常是Cortex-M0 +和高端Cortex-M或与Cortex-A应用处理器结合使用。S32K3包括单核、双核和三核版本,运行频率高达240 MHz。

S32K3系列可从单核Cortex-M7扩展到三核或双核锁步系统。

S32K系列面向汽车应用。它们具有高达8 MB的闪存和高达256 kB带有ECC功能的SRAM存储器。闪存设置为两个模块,允许A/B固件与自动地址转换交换。FOTA将负载更新到一个块中,而系统从另一块运行。该开关在复位时发生,如果有问题,数据可以回滚到原始块。

特性 

先进的RISC架构 

131个功能强大的指令 

主要为单路时钟循环执行 

32x8通用工作寄存器 

全静态工作 

在20MHz时具有高达20MIPS的吞吐量 

片上两周期乘法器 

高耐久性非易失性内存段 

64KB系统内可自编程闪存程序 

存储器 2KB EEPROM 4KB内部SRAM 

封装:40引脚PDIP、44引线TQFP、44焊盘VQFN/QFN

3D架构、双重图形化技术、多层罩式掩膜和高剂量植入剥离(HDIS)等新技术的出现,光刻胶剥离工艺的复杂度也在不断提升。目前来看,在300mm晶圆领域的高级存储和逻辑节点上,很多需求已经或正在得到解决。然而,针对特种技术200mm晶圆的工艺挑战,包括射频滤波器、电源、读出磁头和数字打印等,很多领先的设备代工厂和制造商并没有有效的解决方案。300mm和200mm晶圆工艺的技术难点有所区别,相对而言后者更注重低温处理、薄厚抗蚀层、剥离替代材料和多种衬底材料的处理。

写入/擦除周期:10,000闪存/100,000 EEPROM 数据保持:85°C条件下可保存20年/25°C条件下可保存100年 具有独立锁定位的可选启动代码段 通过片上引导程序进行系统内编程 真正边读边写操作 软件安全用编程锁定 支持Atmel QTouch®库 电容触摸按钮、滑块和滚轮 

(素材来源:21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)





Cortex-M7内核用于一系列汽车微控制器单元(MCU)。新的S32K3系列提高了处理器内存和性能,并具有锁步模式之类的功能。非对称Cortex片上系统(SoC)很常见,但它们通常是Cortex-M0 +和高端Cortex-M或与Cortex-A应用处理器结合使用。S32K3包括单核、双核和三核版本,运行频率高达240 MHz。

S32K3系列可从单核Cortex-M7扩展到三核或双核锁步系统。

S32K系列面向汽车应用。它们具有高达8 MB的闪存和高达256 kB带有ECC功能的SRAM存储器。闪存设置为两个模块,允许A/B固件与自动地址转换交换。FOTA将负载更新到一个块中,而系统从另一块运行。该开关在复位时发生,如果有问题,数据可以回滚到原始块。

特性 

先进的RISC架构 

131个功能强大的指令 

主要为单路时钟循环执行 

32x8通用工作寄存器 

全静态工作 

在20MHz时具有高达20MIPS的吞吐量 

片上两周期乘法器 

高耐久性非易失性内存段 

64KB系统内可自编程闪存程序 

存储器 2KB EEPROM 4KB内部SRAM 

封装:40引脚PDIP、44引线TQFP、44焊盘VQFN/QFN

3D架构、双重图形化技术、多层罩式掩膜和高剂量植入剥离(HDIS)等新技术的出现,光刻胶剥离工艺的复杂度也在不断提升。目前来看,在300mm晶圆领域的高级存储和逻辑节点上,很多需求已经或正在得到解决。然而,针对特种技术200mm晶圆的工艺挑战,包括射频滤波器、电源、读出磁头和数字打印等,很多领先的设备代工厂和制造商并没有有效的解决方案。300mm和200mm晶圆工艺的技术难点有所区别,相对而言后者更注重低温处理、薄厚抗蚀层、剥离替代材料和多种衬底材料的处理。

写入/擦除周期:10,000闪存/100,000 EEPROM 数据保持:85°C条件下可保存20年/25°C条件下可保存100年 具有独立锁定位的可选启动代码段 通过片上引导程序进行系统内编程 真正边读边写操作 软件安全用编程锁定 支持Atmel QTouch®库 电容触摸按钮、滑块和滚轮 

(素材来源:21ic和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)





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