开发尺寸更小而功率更大的充电器。STDES-PFCBIDIR还使用了STM32G474微控制器，就它的高分辨率定时器意味着工程师可以更轻松地驱动SiC MOSFET，并使用更小的无源元件，从而降低了材料清单成本。

一个65 W快充参考设计。得益于我们的MasterGaN1芯片，演示充电器的功率密度将达到30 W /英寸。GaN晶体管的带隙甚至比SiC还宽，使其成为解决这个问题的主要候选技术。而MasterGaN1 系统级封装意味着使用这种新材料比以前简单多了。

混合三种音频来源

一般的MIDI 1 + / SP-MIDI

WAV(PCM + IMA ADPCM)

麦克风或线路输入

编码IMA ADPCM从麦克风线输入或混合输出

输入流可以使用不同的采样率

EarSpeaker空间处理

低音和高音控制

经营一个12 - 13 MHz时钟

内部锁相环时钟乘数

低功耗操作

高质量芯片上的立体DAC没有通道间相位误差

立体声耳机司机驾驶一-30欧姆负载的能力

单独的操作电压模拟信号、数字信号和I / O

5.5用户代码/数据简约RAM芯片上

串行控制和数据接口

可以作为一个奴隶协同处理器吗

SPI flash引导为特殊的应用程序

UART用于调试目的

可能会添加新的功能与软件和4 GPIO管脚

在相控阵中，延时是波束转向所需的可量化变量。但也可以通过相移来仿真延时，这在许多实现中是十分常见且实用的做法。波束斜视的部分讨论延时与相移的影响，但目前我们先来了解相移实现，然后推导相应相移的波束转向计算。

使用移相器而非延时的相控阵排列。我们将瞄准线方向(θ = 0°)定义为垂直于天线正面。瞄准线右侧定义为正角θ，瞄准线左侧定义为负角。

要显示波束转向所需的相移，可以在相邻元件之间绘制一组直角三角形，ΔΦ表示这些相邻元件之间的相移。