去耦和旁路电容式触摸电源波动两个方面
发布时间:2020/12/2 12:31:02 访问次数:610
噪声其实就是电源的波动。电源波动来自于两个方面:电源本身的波动,负载对电流需求变化和电源系统相应能力的差别带来的电压波动。而去耦和旁路电容都是相对负载变化引起的噪声来说。
所以它们两个没有必要做区分。而且实际上电容值的大小,数量也是有理论根据可循的,如果随意选择,可能会在某些情况下遇到去耦电容(旁路)和分布参数发生自激振荡的情况。
所以真正意义上的去耦和旁路都是根据负载和供电系统的实际情况来说的,没有必要去做区分,也没有本质区别。
48MHz Arm Cortex-M23 CPU内核
支持1.6V-5.5V宽范围工作电压
超低功耗,提供64μA/MHz工作电流和250nA软件待机电流,快速唤醒时间小于5μs
采用瑞萨110nm低功耗工艺,用于运行和睡眠/待机模式,并且专门为电池驱动应用设计了特殊掉电模式
灵活的供电模式可实现更低的平均功耗,以满足多种应用需求
集成了新一代创新型电容式触摸感应单元,无需外部元器件,降低BOM成本
通过高精度(1.0%)高速振荡器、温度传感器和多种供电接口端口等片上外围功能降低系统成本
后台运行的数据闪存,支持一百万次擦除/编程循环
采用LQFP封装,产品涵盖48引脚至100引脚封装
智能 LIN 驱动器包含 5 个 16 位 PWM 定时器、2 个 16 位定时器和一个 10 位 ADC 以及差分电流传感放大器和温度传感器。此外,还集成了过电流、过电压及过温检测/保护功能。除了支持模拟 I/O 外,还能使用汽车应用的常用协议(例如 SPI 和 SENT)与标准外部传感器对接。
集成的多个处理内核共用一个片上存储器架构。应用内核 (MLX16-FX) 可以访问 32 KB 闪存(带 ECC)、10 KB 的 ROM、2 KB 的 RAM 以及 512 字节的 EEPROM(带 ECC)。通信处理器 (MLX4) 可以访问 6 KB 的 ROM 和 512 字节的 RAM。嵌入式电机控制器 IC 用于实现符合 ASIL-B (ISO 26262) 的安全应用。
噪声其实就是电源的波动。电源波动来自于两个方面:电源本身的波动,负载对电流需求变化和电源系统相应能力的差别带来的电压波动。而去耦和旁路电容都是相对负载变化引起的噪声来说。
所以它们两个没有必要做区分。而且实际上电容值的大小,数量也是有理论根据可循的,如果随意选择,可能会在某些情况下遇到去耦电容(旁路)和分布参数发生自激振荡的情况。
所以真正意义上的去耦和旁路都是根据负载和供电系统的实际情况来说的,没有必要去做区分,也没有本质区别。
48MHz Arm Cortex-M23 CPU内核
支持1.6V-5.5V宽范围工作电压
超低功耗,提供64μA/MHz工作电流和250nA软件待机电流,快速唤醒时间小于5μs
采用瑞萨110nm低功耗工艺,用于运行和睡眠/待机模式,并且专门为电池驱动应用设计了特殊掉电模式
灵活的供电模式可实现更低的平均功耗,以满足多种应用需求
集成了新一代创新型电容式触摸感应单元,无需外部元器件,降低BOM成本
通过高精度(1.0%)高速振荡器、温度传感器和多种供电接口端口等片上外围功能降低系统成本
后台运行的数据闪存,支持一百万次擦除/编程循环
采用LQFP封装,产品涵盖48引脚至100引脚封装
智能 LIN 驱动器包含 5 个 16 位 PWM 定时器、2 个 16 位定时器和一个 10 位 ADC 以及差分电流传感放大器和温度传感器。此外,还集成了过电流、过电压及过温检测/保护功能。除了支持模拟 I/O 外,还能使用汽车应用的常用协议(例如 SPI 和 SENT)与标准外部传感器对接。
集成的多个处理内核共用一个片上存储器架构。应用内核 (MLX16-FX) 可以访问 32 KB 闪存(带 ECC)、10 KB 的 ROM、2 KB 的 RAM 以及 512 字节的 EEPROM(带 ECC)。通信处理器 (MLX4) 可以访问 6 KB 的 ROM 和 512 字节的 RAM。嵌入式电机控制器 IC 用于实现符合 ASIL-B (ISO 26262) 的安全应用。