电流馈电和返回路径始终形成尽可能小的环路面积，从而最大限度减少关键 EMC 环路天线。

一部分重要高频噪声在 PGND 表面转换为热量（涡流效应）并因此被吸收。这种效应会随着 PGND 和 HF 相关部件之间的距离减小而增加。

部分屏蔽。

MOSFET 栅极的引线在两个 PGND 层内布线，因此可完全屏蔽。

地过孔围绕 PGND 边缘以规则的间隔布置。这些可以抑制潜在的边缘辐射。

WE-MPSB 系列以及 WE-XHMI 系列的紧凑设计特别适合于此案例。廉价的铝电解电容器（如 WCAP-ASLI）适合作为电容值为 10 μF 以上的滤波器的电容器件。与上面提到的储能电容器不同，此处不会出现高纹波电流（滤波器电感会有效阻止这些电流），因此它们不需要适配高纹波电流。

较高的ESR也不是问题，这甚至还有助于保持低的滤波器Q值，从而防止其它不必要的振荡。

中间层布局分析

中间层 3 的布局。

中间层 2、4、5 的布局。

所有四个中间层基本都为 PGND 覆铜表面，因此具备相应的优点：

热损失分布均匀。

输入和输出滤波器器件,选择滤波器器件时，必须能够达到 150 kHz – 300 MHz 的宽带干扰抑制。这应足以抑制预期的传导和辐射 EMC 干扰。但如果输入或输出处使用的线缆被缩短或省略了，则滤波器也可被简化。

不含滤波器的 EMC 测量 (100 W Pout)为满足大多数应用的需要，转换器的干扰不得超出 B 类（家用）限值，包括传导 (150 kHz – 30 MHz) 和辐射 (30 MHz – 1 GHz) 范围。

鉴于此处需要的电流，除了插入损耗非常重要之外，电感元件还必须具有尽可能低的 RDC，从而将效率和温升保持在一个可接受的水平。低 RDC 通常意味着需要增大设计尺寸。使用最先进的元器件在这里也尤为重要，它们可以在 RDC、阻抗和尺寸之间达到完美的平衡。

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