陶瓷储能电容器靠近芯片布置，使得高 △l/△t 的输入和输出环路结构非常紧凑。

为敏感的高阻抗芯片地设计一块单独的AGND）（仅PIN30 连接到 PGND。

自举电路靠近芯片放置。

电流检测环路按差分线路布线，获得干净的开尔文连接。

通过宽带 pi 滤波器为IC提供干净的电源。

通过增加内部和底部PGND层间的地过孔数量，实现低阻抗连接。

大面积覆铜可以作为良好的散热片并提供低 RDC，但不得超过必要的面积，特别是在两个“热”△U/△t 开关节点上，以免形成不必要的天线。

PCB 底层布局分析,优化后的升降压转换器的底层布局图，包括四个功率MOSFET、剩余的储能电容器、旁路和续流二极管。

一个模块化开发套件，用于构建符合成本效益的工业 LED 照明解决方案原型。该平台非常节能 ，具有无线控制（开/关、调光等）和两个独立控制的 LED 通道，最大亮度达到 7000 流明。

基础平台由四个组件组成：

LED 模块，支持 2 串（暖白色和冷白色） 16 颗 LED

采用 RSL10 SIP的蓝牙 (R) 低功耗连接板

AC/DC 电源板（输入电压 AC：90 - 270V，输出电压 DC：55V，输出电力功率：70W，满载时功率因数 > 0.99）

采用 FL7760 的LED驱动器板（调光至 0.6%，遥测数据，12位PWM）

使用 RSL10 Sense and control 移动应用 (IoS、Google Play) 或web客户端，提供多种 LED 控制功能。该平台由一个全面的开发环境提供支持，包括可定制固件的 CMSIS-Pack、免费的 RTOS 和各种用例。

PoE 电源模块可单独用于高达 90 W 的以太网供电 (PoE) 连接。

在靠近FET的位置布置陶瓷储能电容器，使得高 △l/△t的输入和输出环路结构非常紧凑。

对称布局和覆铜处理意味着 FET 之间以及 FET 与旁路二极管之间的连接的阻抗和电感极低。

具反向几何形状的电流分路器，可进一步降低寄生电感；

因此，HF 电流环路也可减至最小。

由于没有其它大型器件阻碍热连接，因此 PCB 底面上的半导体可以得到更好的冷却。

超快恢复肖特基二极管紧邻相应的 FET 布置。

大面积覆铜可以作为良好的散热片并提供低 RDC，但不得超过必要的面积，特别是在两个“热”△U/△t 开关节点上，以免形成不必要的天线。

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