英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET，实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装，使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的理想选择。

超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入（design in）的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供优秀的栅极电荷，最适合直流-直流转换。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可用于最具挑战性的应用，充分灵活地优化空间、效率和成本。OptiMOS™ 产品经设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

TensorFlowAI框架能够更早、更准确地检测电机系统中潜在的不良异常，以帮助用户改善预测性维护流程、降低维护成本。

RA6T1产品群的关键特性

120MHzArmCortex-M4内核，内置浮点运算单元

提供64引脚至100引脚LQFP封装

64KBRAM，并提供256KB至512KB闪存

具有先进功能的32位PWM计时器，包括支持7种互补PWM模式的载波生成

与电机控制解决方案组合使用时，采样周期为250μs

高速12位ADC，最高速度为0.4μs，并具有采样/保持功能，允许同时采集三分流电流

6通道可编程增益放大器

支持IEC60730的家用电器功能安全标准

脉冲涡流热成像是一种将涡流检测和红外热成像技术相结合的新型无损检测方法，具有非接触、检测范围大、热图显示直观、感应热激励效率高等优点。目前的研究主要关注热成像、热激励、热图分析三个方面。其中热激励作为关键技术之一，大多数研究直接采用商业感应加热电源，这些电源存在加热效率低和均匀性差等问题。

锂电池作为常见的的能量存储器件，其单体输出功率低、电压小。锂电池单独供电时，提升其功率、电压时需要更多的单体；因此兼顾功率输出、能量储存与系统体积重量是便携式脉冲涡流热成像电源亟待解决的问题。为此，设计一种结合锂电池与超级电容的便携式电源，合理有效地实现了脉冲涡流热成像技术应用于现场检测。

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