两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计，可适用于直流泵（制动、油、水和燃料）、空调系统（HVAC）、螺线管和致动器等设计。

这些器件特别适合于必须满足ASIL要求的汽车系统，与Allegro A2SIL™系列中其他产品一样，A4926和A4927都集成有足够多的功能来完善系统设计，帮助用户实现所需的ASIL等级要求。

A4926和A4927集成有独特的电荷泵稳压器，能够针对大多数应用提供完整的门驱动，即便是在电池电压低至5.5V时。

它们带有可选自举管理的自举电容器，可用于提供N沟道MOSFET所需的高于电池的电源电压。半桥可以由独立的逻辑电平输入或兼容SPI的串行接口来进行控制。

MotionEngine Hear提供两种版本，均可灵活满足客户需求：

MotionEngine HearCore

通过活动分类(包括步行、跑步和静止)实现情境感知

通过轻击和双击提供改进的用户接口控制

通过仅加速度计的入耳检测来控制播放并节省电能

通过计步器、活动检测以及距离和卡路里估算值跟踪健身活动

传感器要求：仅加速度计

MotionEngine Hear Premium –包括Core版本的所有功能，以及：

通过高精度3D头部跟踪实现空间音频支持

使用加速度计和/或接近检测功能进行先进的入耳检测

传感器要求：加速度计、陀螺仪和接近传感器

中芯国际联合CEO梁孟松曾经透露过，FinFET N＋1工艺的功率和稳定性与7nm工艺非常相似，最大的不同在于无需EUV光刻机也可以实现。梁孟松表示，N＋1工艺和14nm相比，性能提升了20％，功耗降低了57％，逻辑面积缩小了63％，SoC面积减少了55％。

在N＋1之后还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，主要区别体现在性能及成本上。N＋1工艺是面向低功耗应用领域，成本较低，而N＋2面向高性能领域，成本也会增加。

提到7nm及以上高端工艺芯片，势必离不开EUV光刻机，而FinFET N＋1和N＋2工艺都不会使用EUV工艺，据梁孟松介绍，在当前的环境下N＋1、N＋2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N＋2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大规模转向EUV光刻工艺。

(素材来源：eccn和chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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