极紫外光源导通电阻栅极电荷的能力

发布时间:2020/10/16 20:33:15 访问次数:868

新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级，该功率级可为白色家电以及工业，医疗，医疗保健，医疗保健，和电信应用程序。

Vishay Siliconix SiZ240DT在一个紧凑的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封装中集成了高侧和低侧MOSFET，提供了同类最佳的导通电阻和导通电阻乘以栅极电荷的能力-用于MOSFET的关键品质指标（FOM）电源转换应用。

SiZ240DT中的两个TrenchFET®MOSFET内部以半桥配置连接。 SiZ240DT的通道1 MOSFET（通常用作同步降压转换器中的控制开关）在10 V时提供最大8.05mΩ的导通电阻，在4.5 V时提供12.25mΩ的最大导通电阻。

过压保护的热保护元件的新系列ThermoFuse®压敏电阻。

其中MT25系列 (B72225M*) 元件目前覆盖的电压范围为150 VRMS 至385 VRMS，最大浪涌电流能力为20 kA（8/20 μs脉冲波形），符合IEC 61643-11标准。保护元件设计极为紧凑，完全封装，尺寸仅为25 x 28 x 14 mm，并可选带或不带电隔离的监测输出。

MT30系列 (B72230M*) 元件的电压范围则为150 VRMS 至 750 VRMS，最大浪涌电流能力为25 kA（8/20 μs脉冲波形），同样符合IEC 61643-11标准，尺寸为34 x 28 x 14 mm，该设计为不带电隔离的监测输出。

极紫外光刻机是7nm和5nm芯片制程工艺所必不可少的设备，目前全球只有阿斯麦能供应。台积电、三星这两大芯片代工商的制程工艺都已提升到了7nm和5nm，他们所需要的极紫外光刻机也全部仰仗于阿斯麦，全新的TWINSCAN NXE:3600D的首台，预计也会交由这两家代工商中的一家。

阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，采用的都是波长为13.5nm的极紫外光源，20mJ/cm2的曝光速度下，前者每小时可处理125片晶圆，后者则可达到170片。

通道2 MOSFET（通常是同步开关）在10 V时导通电阻为8.41mΩ，在4.5 V时导通电阻为13.30mΩ。这些值比最接近的竞争产品低16％。

(素材来源：eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）

新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级，该功率级可为白色家电以及工业，医疗，医疗保健，医疗保健，和电信应用程序。

过压保护的热保护元件的新系列ThermoFuse®压敏电阻。

通道2 MOSFET（通常是同步开关）在10 V时导通电阻为8.41mΩ，在4.5 V时导通电阻为13.30mΩ。这些值比最接近的竞争产品低16％。

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