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分立式电源半导体工作频率

发布时间:2020/9/26 0:03:55 访问次数:1454

采用 3 引脚纤薄小外形晶体管 (TSOT) 表面贴装式封装,是独立 PCB 应用的理想之选。

VSC8540/41千兆位以太网PHY RMII/RGMII收发器,基于COTS器件升级而来,可用于航空电子设备和军事应用。

TE 面向 5G、NB-IoT 和 LTE-M 推出的新天线能够提供从 600 MHz 到 6 Ghz 的多种频段解决方案。客户可根据系统架构选择天线安装类型(如板装、嵌入式、外部或终端天线)、电缆长度和连接器选项。该系列天线无需调谐就可轻松集成到终端设备,另外,TE 提供天线的安装服务,能够帮助复杂的多天线组件安装。

LTC3350 在 4.5V 至 35V 输入电压范围内工作,能够提供超过 10A 的充电 / 备份电流能力。该器件还为 1 至 4 个串联超级电容器组提供平衡和过压保护。

LTC3350 的同步降压型控制器驱动 N 沟道 MOSFET,以每节高达 5V 的电压以及恒定电流 / 电压给电容器组充电。

在备份模式,降压型转换器反过来作为同步升压型 DC/DC 转换器工作,以从超级电容器组向备份系统电源供电。LTC3350 的两个理想二极管控制器运用 N 沟道 MOSFET 提供从输入和超级电容器到备份系统电源的低损耗供电通路。该器件非常适合服务器、海量存储以及高可用性系统中的大电流 12V 穿越电源和短期不间断电源 (UPS) 之应用。

LTC3350 包含一个准确的 14 位模数转换器 (ADC),该转换器连续地监视输入和输出电压及电流。此外,该器件的内部测量系统监视与备份电容器本身有关的参数,包括电容器组的电压、电容和电容器组的 ESR (等效串联电阻),以确保存储充足的能量和在给备份电源供电时提供充足的电力。

单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。

全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色,可使系统整体减少5%的能源消耗。

基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色,而且由于阻断电压增大,使系统设计更具优势,从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡,既有适合快速开关应用的器件,又有符合软开关设计的器件,不仅在使用上更具灵活性,还能减少系统整体受到的限制。

(素材:eccn.如涉版权请联系删除)


采用 3 引脚纤薄小外形晶体管 (TSOT) 表面贴装式封装,是独立 PCB 应用的理想之选。

VSC8540/41千兆位以太网PHY RMII/RGMII收发器,基于COTS器件升级而来,可用于航空电子设备和军事应用。

TE 面向 5G、NB-IoT 和 LTE-M 推出的新天线能够提供从 600 MHz 到 6 Ghz 的多种频段解决方案。客户可根据系统架构选择天线安装类型(如板装、嵌入式、外部或终端天线)、电缆长度和连接器选项。该系列天线无需调谐就可轻松集成到终端设备,另外,TE 提供天线的安装服务,能够帮助复杂的多天线组件安装。

LTC3350 在 4.5V 至 35V 输入电压范围内工作,能够提供超过 10A 的充电 / 备份电流能力。该器件还为 1 至 4 个串联超级电容器组提供平衡和过压保护。

LTC3350 的同步降压型控制器驱动 N 沟道 MOSFET,以每节高达 5V 的电压以及恒定电流 / 电压给电容器组充电。

在备份模式,降压型转换器反过来作为同步升压型 DC/DC 转换器工作,以从超级电容器组向备份系统电源供电。LTC3350 的两个理想二极管控制器运用 N 沟道 MOSFET 提供从输入和超级电容器到备份系统电源的低损耗供电通路。该器件非常适合服务器、海量存储以及高可用性系统中的大电流 12V 穿越电源和短期不间断电源 (UPS) 之应用。

LTC3350 包含一个准确的 14 位模数转换器 (ADC),该转换器连续地监视输入和输出电压及电流。此外,该器件的内部测量系统监视与备份电容器本身有关的参数,包括电容器组的电压、电容和电容器组的 ESR (等效串联电阻),以确保存储充足的能量和在给备份电源供电时提供充足的电力。

单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。

全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色,可使系统整体减少5%的能源消耗。

基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色,而且由于阻断电压增大,使系统设计更具优势,从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡,既有适合快速开关应用的器件,又有符合软开关设计的器件,不仅在使用上更具灵活性,还能减少系统整体受到的限制。

(素材:eccn.如涉版权请联系删除)


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