技术层面，SiC衬底和外延方面，国内仍然是4英寸为主，已开发出6英寸产品并实现小批量供货；国内批量生产的GaN衬底仍以2英寸为主。

国内600 ～3300V SiC肖特基二极管技术较为成熟，产业化程度继续提升，目前也已研制出1200～1700V SiC金氧半场效晶体管（MOSFET）器件，但可靠性较低，目前处于小批量生产阶段；

国内全SiC功率模块，主要指标为1200V /50～600A、650V /900A。GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）方面，国内2018年推出了650V/10 ～30A的GaN晶体管产品；GaN微波射频器件方面，国产GaN射频放大器已成功应用于基站，Sub 6 GHz和毫米波GaN射频功率放大器也已实现量产。

产业方面，在半导体对外投资受阻情况下，国内自主创新发展是必由之路。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 700 V

Id-连续漏极电流: 12.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 16.4 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 26.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

配置: Single

高度: 16.15 mm

长度: 10.65 mm

系列: CoolMOS P7

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.85 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 18 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 100 ns

典型接通延迟时间: 19 ns

零件号别名: IPA70R360P7S SP001499698

单位重量: 1 g

2018年，在政策和资金的双重支持下，国内第3代半导体领域新增3条SiC产线。投资方面GaN热度更高，据第3代半导体产业技术创新战略联盟( CASA )不完全统计，2018年国内第3代半导体相关领域共有8起大的投资扩产项目，其中4起与GaN材料相关，涉及金额220亿元。

与国际企业并购热潮对比，国内2018年仅有2起。

生产模式上，大陆在第3代半导体电力电子器件领域形成了从衬底到模组完整的产业链体系，器件制造方面以IDM模式为主，且正在形成“设计—制造—封测”的分工体系；大陆代工产线总体尚在建设中，尚未形成稳定批量生产。

(素材来源：chinaaet和ttic和cntronics.如涉版权请联系删除。特别感谢）