Siliconix的芯片级功率MOSFET导通电阻低至0.025Ω
发布时间:2007/8/31 0:00:00 访问次数:298
Vishay Intertechnology公司的子公司Siliconix日前推出号称业界头两款P沟道和30V N沟道共漏(common drain)、芯片级功率MOSFET——Si8901EDB和Si8904EDB。
该两款双向MICRO FOOT功率MOSFET尺寸为1.6×2.4mm，高度为0.65mm，比TSSOP 8封装小81%，具有近似的导通电阻和更好的热性能。
20V Si8901EDB采用Vishay Siliconix的TrenchFET MOSFET技术，导通电阻为0.030Ω，可使目前便携设备中使用的双P沟道SO-8或TSSOP-8 MOSFET的锂离子及聚合物锂电池的尺寸大幅度缩小，从而减小电池电路或提高电池的容量，以延长使用寿命。
30V Si8904EDB为便携设备中的传统共漏N沟道电池的紧凑型解决方案，导通电阻为0.0225Ω，近似等于目前采用TSSOP-8或SO-8封装的器件，但安装尺寸更小。以上两款功率MOSFET适用于蜂窝电话、PDA、MP3播放器及数码相机中的单个LiB和LiP电池。
Si8901EDB和Si8904EDB分别具有6kV和4kV ESD保护功能。批量达10万片时，单价均为65美分(仅供参考)，大订单交货周期为10至12周期。
（转自 电子工程专辑）
Vishay Intertechnology公司的子公司Siliconix日前推出号称业界头两款P沟道和30V N沟道共漏(common drain)、芯片级功率MOSFET——Si8901EDB和Si8904EDB。
该两款双向MICRO FOOT功率MOSFET尺寸为1.6×2.4mm，高度为0.65mm，比TSSOP 8封装小81%，具有近似的导通电阻和更好的热性能。
20V Si8901EDB采用Vishay Siliconix的TrenchFET MOSFET技术，导通电阻为0.030Ω，可使目前便携设备中使用的双P沟道SO-8或TSSOP-8 MOSFET的锂离子及聚合物锂电池的尺寸大幅度缩小，从而减小电池电路或提高电池的容量，以延长使用寿命。
30V Si8904EDB为便携设备中的传统共漏N沟道电池的紧凑型解决方案，导通电阻为0.0225Ω，近似等于目前采用TSSOP-8或SO-8封装的器件，但安装尺寸更小。以上两款功率MOSFET适用于蜂窝电话、PDA、MP3播放器及数码相机中的单个LiB和LiP电池。
Si8901EDB和Si8904EDB分别具有6kV和4kV ESD保护功能。批量达10万片时，单价均为65美分(仅供参考)，大订单交货周期为10至12周期。
（转自 电子工程专辑）
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