东芝日前于美国安那汉市(Anaheim)召开的磁记录国际会议“9th Joint MMM-intermag Conference”上发表了可将硬盘面记录密度提高至400Gbit/inch2的CPP型GMR磁头技术。

    CPP型GMR磁头被认为是现今继GMR磁头之后新一代磁头，因GMR元件存在电阻值极小、无法获得足够的输出功率。此次东芝通过两个措施提高了电阻值。其一，层积了由很多微小铜柱形成的Cu-Al氧化膜，取代位于GMR元件磁化固定层和自由层之间的铜层。以此减少电流通过的面积、提高膜阻。通过加大Cu-Al氧化方法的研究力度，制备成功了优质铜柱；其二，改变了构成磁化固定层和自由层的Co-Fe结构。从而实现了膜间电子跃迁概率的上升、提高了电4阻值。

    通过上述措施，将播放输出功率的指标——MR比提高到了7.5%。作为公认实用电阻值为500mΩμm2左右的CPP型GMR元件，为世界最高水平。随着该技术的发展，记录密度有望达到400Gbit/inch2。