功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS(on)）降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和OR-ing）和电池管理等等。

新封装概念将源极（而非传统的漏极）与导热垫相连。除了实现新的PCB布局，这还有助于实现更高的功率密度和性能。目前推出的两个型号占板面积不同，它们分别是：源极底置，标准门极布局的PQFN 3.3x3.3 mm封装；及源极底置，门极居中的PQFN 3.3x3.3 mm封装。源极底置，标准门极布局的封装是基于当前的PQFN 3.3x3.3 mm引脚分配布局。电气连接的位置保持不变，方便将如今标准的漏极底置封装简单直接地替换成新的源极底置封装。在门极居中的封装中，门极引脚被移到中心位置以便于多个MOSFET并联。由于漏-源极爬电距离增大，多个器件的门极可以连接到同一层PCB上。将门极接口移到中心位置还能使源极面积增大，从而改进器件的电气连接。

AS1713-BTDT

制造商:ams

产品描述:IC OPAMP DIFF 4MHZ RRO 8MLPD

标准包装：1

类别：集成电路 (IC)

家庭：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

系列：-

包装：剪切带 (CT)

放大器类型：差分

电路数：1

输出类型：满摆幅

压摆率：5 V/μs

增益带宽积：4MHz

-3db 带宽：-

电流 - 输入偏置：50pA

电压 - 输入失调：1.5mV

电流 - 电源：2.3mA

电流 - 输出/通道：200mA

电压 - 电源，单/双 (±)：2.7 V ~ 5.5 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-UFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-MLPD（2x2）

其它名称：AS1713-BTDT-1KCTAS1713-BTDT-1KCT-NDAS1713-BTDTCTAS1713BTDT1K

ROHS： 无铅

这一技术创新可使RDS(on)相比现有技术大幅减小，减幅最高达到30%。相比现有的PQFN封装，结-壳热阻（RthJC）也得到大幅改进。由于寄生效应降低，PCB损耗改进，以及热性能优异，新封装概念可为任何当代的工程设计带来巨大的附加价值。

基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的两种OptiMOSTM源极底置25 V功率MOSFET。

Active Semi是电源管理领域的专家，而Qorvo是射频行业的领导者，双方的结合之后，Active Semi优秀的产品和技术可以借助Qorvo批量制造、多客户渠道以及品牌优势，实现更广泛的生产与推广。而双方未来也有可能将射频技术与功率技术相结合，为客户提供更完整的解决方案。

Active-Semi在模拟和数字领域的结合，这也是公司顺利开辟全新市场的重要原因。

(素材来源：eepw和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）