片状多层陶瓷电容器静电容量大
发布时间:2020/8/22 15:01:33 访问次数:401
NVIDIA今天发布了2021财年Q2财报,营收38.7亿美元,大涨50%,净利润13.7亿美元,大会79%,其中数据中心业务营收17.5亿美元,大涨167%,首次超过了GeForce游戏卡业务。NVIDIA上季度中数据中心业务大涨有多个原因,其中很重要一点就是7nm安培显卡,今年5月份正式发布A100加速卡,到7月底不过2个月时间,它就贡献了数据中心业务1/4的营收了。
按照17.5亿美元的营收来算,1/4大概就是4.4亿美元,差不多是30亿人民币,虽然我们不知道A100加速卡的具体售价,但是超过1万美元太容易了,估计差不多卖出4万块了。
能削减贴装面积。因为片状多层陶瓷电容器单位体积的静电容量较大。另一个是用于DC-DC转换器等输出平滑电路时,可降低输出纹波电压。原因在于片状多层陶瓷电容器的等效串联电阻(ESR:Equivalent Series Resistance)较低。使用钽电解电容器时,输出纹波电压为56mV,而使用片状多层陶瓷电容器时则降到了7mV。
用于输出平滑用途时需要注意并不是只要单纯地将钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器,工作就结束了的。根据用途的不同,有时还需要注意一些问题。
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息产品:IGBT Silicon Modules配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:3.2 V在25 C的连续集电极电流:700 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:62 mm封装:Tray商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:3900 W工厂包装数量:10
标准包装 3,000包装 标准卷带零件状态有源类别产品族PMIC - 电池充电器系列-其它名称296-39552-2
规格电池化学锂离子/聚合物电池数1电流 - 充电恒流 - 可编程可编程特性电流故障保护过流,超温,过压充电电流 - 最大值3A电池组电压4.4V(最大)电压 - 供电(最高)6.2V接口I2C,USB工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型封装/外壳24-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装24-VQFN(4x4)
第一是可靠性问题。钽电解电容器存在发生短路故障时导致冒烟和起火的可能性。出现冒烟和起火现象时,对于配备钽电解电容器的电子产品而言是致命的。另一个是原材料钽的问题。钽属于稀有金属,其产地在全世界屈指可数。因此,如果产地出现政治动荡等,就会陷入价格暴涨、供给不稳定的局面。只要原材料是稀有金属,钽电解电容器用户就不可能完全避免此类风险。
而解决这些问题的对策就是用片状多层陶瓷电容器来取代钽电解电容器。片状多层陶瓷电容器发生冒烟和起火的可能性要远远低于钽电解电容器。另外由于不使用稀有金属,价格和供给都更加稳定。而且还有一些钽电解电容器所不具备的优点。
替换成片状多层陶瓷电容器可以抑制纹波电压,将DC-DC转换器的输出电容器由钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器时的输出电压波形。DC-DC转换器的开关频率为300MHz。钽电解电容器的容量为100μF。使用3 个 22μF的片状多层陶瓷电容器产品。替换前的纹波电压为56mV,更换成片状多层陶瓷电容器后降到了7mV。
(素材来源:21ic和ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
NVIDIA今天发布了2021财年Q2财报,营收38.7亿美元,大涨50%,净利润13.7亿美元,大会79%,其中数据中心业务营收17.5亿美元,大涨167%,首次超过了GeForce游戏卡业务。NVIDIA上季度中数据中心业务大涨有多个原因,其中很重要一点就是7nm安培显卡,今年5月份正式发布A100加速卡,到7月底不过2个月时间,它就贡献了数据中心业务1/4的营收了。
按照17.5亿美元的营收来算,1/4大概就是4.4亿美元,差不多是30亿人民币,虽然我们不知道A100加速卡的具体售价,但是超过1万美元太容易了,估计差不多卖出4万块了。
能削减贴装面积。因为片状多层陶瓷电容器单位体积的静电容量较大。另一个是用于DC-DC转换器等输出平滑电路时,可降低输出纹波电压。原因在于片状多层陶瓷电容器的等效串联电阻(ESR:Equivalent Series Resistance)较低。使用钽电解电容器时,输出纹波电压为56mV,而使用片状多层陶瓷电容器时则降到了7mV。
用于输出平滑用途时需要注意并不是只要单纯地将钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器,工作就结束了的。根据用途的不同,有时还需要注意一些问题。
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息产品:IGBT Silicon Modules配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:3.2 V在25 C的连续集电极电流:700 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:62 mm封装:Tray商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:3900 W工厂包装数量:10
标准包装 3,000包装 标准卷带零件状态有源类别产品族PMIC - 电池充电器系列-其它名称296-39552-2
规格电池化学锂离子/聚合物电池数1电流 - 充电恒流 - 可编程可编程特性电流故障保护过流,超温,过压充电电流 - 最大值3A电池组电压4.4V(最大)电压 - 供电(最高)6.2V接口I2C,USB工作温度-40°C ~ 85°C(TA)安装类型表面贴装型封装/外壳24-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装24-VQFN(4x4)
第一是可靠性问题。钽电解电容器存在发生短路故障时导致冒烟和起火的可能性。出现冒烟和起火现象时,对于配备钽电解电容器的电子产品而言是致命的。另一个是原材料钽的问题。钽属于稀有金属,其产地在全世界屈指可数。因此,如果产地出现政治动荡等,就会陷入价格暴涨、供给不稳定的局面。只要原材料是稀有金属,钽电解电容器用户就不可能完全避免此类风险。
而解决这些问题的对策就是用片状多层陶瓷电容器来取代钽电解电容器。片状多层陶瓷电容器发生冒烟和起火的可能性要远远低于钽电解电容器。另外由于不使用稀有金属,价格和供给都更加稳定。而且还有一些钽电解电容器所不具备的优点。
替换成片状多层陶瓷电容器可以抑制纹波电压,将DC-DC转换器的输出电容器由钽电解电容器换成片状多层陶瓷电容器时的输出电压波形。DC-DC转换器的开关频率为300MHz。钽电解电容器的容量为100μF。使用3 个 22μF的片状多层陶瓷电容器产品。替换前的纹波电压为56mV,更换成片状多层陶瓷电容器后降到了7mV。
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