指纹模块基于具有超小尺寸64引脚(4.5mm x 4.5mm)BGA封装的瑞萨RX651 MCU，集成贝特莱BF82160指纹传感器及相关软件和指纹识别算法，采用高安全高稳定的PB（Precise Biometrics）算法。指纹的采集、存储和比对全部在芯片内部处理，可大幅提升处理速度，同时降低产品开发难度，缩短产品开发周期。通过集成化芯片的方式还可实现指纹模块体积的小型化，并降低终端设备BOM成本。

瑞萨RX651 MCU采用瑞萨自有高性能RXv2内核，工作频率高达120MHz，可支持模组高速运行；RX651还大幅增强了安全性能，支持AES及随机数发生器，DES/RSA/SHA，及瑞萨专业的TSIP加密引擎，全面保护指纹隐私安全；其闪存可从512KB扩展至2MB，在-40℃至85℃严苛的温度环境下工作，从而支持不同气候广阔地域、从民用到工业广泛应用的多种应用。

MRAM的基本结构是磁性隧道结，研发难度高，目前主要分为两大类：传统MRAM和STT-MRAM，前者以磁场驱动，后者则采用自旋极化电流驱动。

另外，相较于DRAM、SRAM和NAND Flash等技术面临的微缩困境，MRAM可满足制程进一步微缩需求。目前，DRAM制程工艺节点为1X nm，已接近极限，而Flash走到20 nm以下后，就朝3D制程转型了。MRAM制程则可推进至10nm以下。

包括台积电、英特尔、三星、格芯等晶圆代工厂和IDM，相继大力投入MRAM 研发，而且主要着眼于STT-MRAM，也有越来越多的嵌入式解决方案诞生，用以取代Flash、EEPROM和SRAM。

台积电就与中国台湾地区工研院签订了MRAM合作发展计划。近些年，该公司一直在开发22nm制程的嵌入式STT-MRAM，采用超低漏电CMOS技术。

台积电进行了eMRAM芯片的“风险生产”，2019年生产采用22nm制程的eReRAM芯片。

台积电在嵌入式非易失性存储器技术领域达成数项重要的里程碑：在40nm制程方面，该公司已成功量产Split-Gate（NOR）技术，支持消费类电子产品应用，如物联网、智慧卡和MCU，以及各种车用电子产品。在28nm制程方面，该公司的嵌入式快闪存储器支持高能效移动计算和低漏电制程平台。

YT8010A 车规级百兆以太网PHY芯片，是符合IEEE100BaseT1标准得车载以太网物理层芯片, 此次成功通过AEC-Q100 Grade 1 车规认证，是国内当前最高水平的车载芯片之一，这也意味着国产车载芯片的空白领域得到填补，国外供应商的市场垄断情况被打破。

专注于有线网络高速通讯芯片的研发，填补国内技术空白和追求技术全面超越。公司以研发、销售及产业化为一体，产品包括高速以太网物理层芯片，高速以太网交换芯片和高速以太网网卡芯片，是目前国内唯一的高速以太网物理层芯片供应商。产品在参数和功能上逐步超越国外同类芯片，并且广泛应用于数通、安防、车载、消费、工业等各个行业。不断推出系列芯片产品，并且先后量产，迅速打破国际芯片公司在各市场领域的垄断。

完全自主知识产权的芯片设计公司，助力国内汽车产业智能化网联化的发展。在团队的不断努力下，也能拥有自己高科技、高标准、高质量的芯片，汽车智能化不再是梦想。

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