TDA9955HW/17双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流；MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。

三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和****区组成的pn结为阻止多子的扩散运动，在此pn结处会感应出指向基区的静电场（即内建电场）。

肖特基二极管（Schottky, SBD）适用于高频开关电路，正向压降和反相压降都很低（0.2V）但是反向击穿电压较低，漏电流也较大。

抖动特性绝大部分取决于输出芯片的特性，不过，如果PCB布线不当，电源滤波不够充分，时钟参考源太冲太大也会增加抖动成分。信号线的匹配对抖动产生直接的影响。特别是芯片中含有倍频功能，本身相位噪声较大。

极型选择是指BJT是用PNP还是NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。

射极偏置电路：用于消除温度对静态工作点的影响（双电源更好）。

三种BJT放大电路比较：共射级放大电路，电流、电压均可以放大。共集电极放大电路：只放大电流，跟随电压，输入R大，输出R小，用作输入级，输出级。共基极放大电路：只放大电压，跟随电流，高频特性好。

去耦电容：输出信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。旁路电容：输入信号电容接地，滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。

MOS-FET在使用中除了正确选择参数以及正确的计算外，最值得强调的仍然是防静电操作问题，在电路调试、焊接、安装过程中，一定要严格按照防静电程序操作。

无线电的频谱和波段划分：

段号 频段名称 频段范围（含上限不含下限） 波段名称 波长范围（含上限不含下限）

甚低频（VLF） 3～30千赫（KHz） 甚长波 100～10km

低频（LF） 30～300千赫（KHz） 长波 10～1km

中频（MF） 300～3000千赫（KHz） 中波 1000～100m

高频（HF） 3～30兆赫（MHz） 短波 100～10m

甚高频（VHF） 30～300兆赫（MHz） 米波 10～1m

特高频（UHF） 300～3000兆赫（MHz） 分米波 微波 100～10cm

超高频（SHF） 3～30吉赫（GHz） 厘米波 10～1cm

极高频（EHF） 30～300吉赫（GHz） 毫米波 10～1mm

至高频 300～3000吉赫（GHz） 丝米波 1～0.1mm

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