XC3042APQ100AKJ“新基建”以5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网七大领域为代表的新型基础设施建设，其中在通讯中5G相关电子设备互连系统将是“耗电大户”散热技术若能升级将能赋能“新基建”的巨大能量。

相比4G网络，5G提速可高达10-100倍，更快网速、更低时延、高可靠性和连接，将使得包括自动驾驶、智慧城市、工业互联及万物互联成为可能，但100倍的数据传输速率，意味着5G设备需要更大的功率，其发热量的指数级增长以及陡然上升的温度控制难度。在5G通信中，到2025年，I/O高速连接器相关基础建设将消耗全球大量的电力，不仅要适应全球各地的极端气候，还要保持-40℃~55℃的正常工作温度，在有限的空间中对散热器的结构设计、新材料新工艺无非都提出了新的挑战。

在空间、速度、散热都受到挑战的情况下。如何在三者之间找到平衡点就必须透过新技术、新工艺、新材料结合。

灵活的输出选项使用户可以根据应用需求选择数字或模拟输出信号，或同时选择数字和模拟输出信号。双输出信号选项为系统安全提供了冗余。放大的模拟输出可提供快速的响应时间。具有 16 位分辨率的数字 I2C 接口可解析低至 0.0038 Pa 的信号，并降低客户对附加电路的需求，从而允许多个设备连接至同一总线。

SMI 压力传感器针对小型设备进行了优化，并封装在紧凑的外壳中。传感器采用标准 JEDEC SOIC-16 封装，可以垂直或水平安装或采用一体式 SOIC-10 模制封装，带有一个垂直端口（仅适用于 SM4000/1000）。占用空间小，对安装方向不敏感，便于系统集成。轻巧的设计可使医疗设备变得更加轻便，大型工业设备变得更小、更智能。

通过改善沟槽结构，实现业界极低的导通电阻

ROHM通过采用独有结构，于2015年全球首家成功实现沟槽结构SiC MOSFET的量产。其后，一直致力于进一步提高元器件的性能，但在降低低导通电阻方面，如何兼顾存在矛盾权衡关系的短路耐受时间一直是一个挑战。此次，通过进一步改善ROHM独有的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功地使导通电阻比以往产品降低约 40％。

通过大幅降低寄生电容，实现更低开关损耗

通常，MOSFET的各种寄生电容具有随着导通电阻的降低和电流的提高而增加的趋势，因而存在无法充分发挥SiC原有的高速开关特性的课题。此次，通过大幅降低栅漏电容（Cgd），成功地使开关损耗比以往产品降低约50％。

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