薄膜片式电阻的高阻值分压
发布时间:2020/5/12 23:51:24 访问次数:2145
ZMCJF7L0T1206外形尺寸的 MC AT 精密系列汽车级薄膜片式电阻，阻值由47 Ω到10 MΩ。MCA 1206 AT是业界唯一阻值高于5 MΩ，温度系数（TCR）低至± 25 ppm/K，公差仅为± 0.1 %，并具有薄膜稳定性的器件。
Vishay Beyschlag MCA 1206 AT电阻具有优异的耐潮能力，出色的温度循环稳定性，高耐硫性符合ASTM B 809标准，在汽车、工业、医疗和通信设备等恶劣环境中性能极为稳定。这款器件通常可用作电池管理系统等应用的高阻值分压电阻。
电阻的工作电压为200 V，+70 C 环境温度下额定功率400 mW，工作温度-55 °C至 +155 °C。器件通过AEC-Q200认证，符合RoHS标准。
LT8650S、LT8652S和LT8653S双通道4A/8.5A/2A同步降压Silent Switcher转换器。它们采用专有的Silent Switcher 2架构，具有扩频调制功能，可以确保PCB布局稳定可靠以实现超低的EMI，从而轻松满足CISPR25标准。
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT41K256M16HA-125:E
描述
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 3（168 小时）
详细描述 SDRAM-DDR3L-存储器-IC-4Gb-（256M-x-16）-并联-800MHz-13.75ns-96-FBGA（9x14）
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb （256M x 16）
存储器接口 并联
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 13.75ns
电压 - 电源 1.283V ~ 1.45V
工作温度 0°C ~ 95°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 96-TFBGA
供应商器件封装 96-FBGA（9x14）
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材来源：ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ZMCJF7L0T1206外形尺寸的 MC AT 精密系列汽车级薄膜片式电阻，阻值由47 Ω到10 MΩ。MCA 1206 AT是业界唯一阻值高于5 MΩ，温度系数（TCR）低至± 25 ppm/K，公差仅为± 0.1 %，并具有薄膜稳定性的器件。
Vishay Beyschlag MCA 1206 AT电阻具有优异的耐潮能力，出色的温度循环稳定性，高耐硫性符合ASTM B 809标准，在汽车、工业、医疗和通信设备等恶劣环境中性能极为稳定。这款器件通常可用作电池管理系统等应用的高阻值分压电阻。
电阻的工作电压为200 V，+70 C 环境温度下额定功率400 mW，工作温度-55 °C至 +155 °C。器件通过AEC-Q200认证，符合RoHS标准。
LT8650S、LT8652S和LT8653S双通道4A/8.5A/2A同步降压Silent Switcher转换器。它们采用专有的Silent Switcher 2架构，具有扩频调制功能，可以确保PCB布局稳定可靠以实现超低的EMI，从而轻松满足CISPR25标准。
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT41K256M16HA-125:E
描述
IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 3（168 小时）
详细描述 SDRAM-DDR3L-存储器-IC-4Gb-（256M-x-16）-并联-800MHz-13.75ns-96-FBGA（9x14）
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb （256M x 16）
存储器接口 并联
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 13.75ns
电压 - 电源 1.283V ~ 1.45V
工作温度 0°C ~ 95°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 96-TFBGA
供应商器件封装 96-FBGA（9x14）
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