正负逻辑控制和反相功能
发布时间:2020/6/18 22:46:37 访问次数:4675
PPC750L-FBOB450固态继电器有三部分组成:输入电路,隔离(耦合)和输出电路。按输入电压的不同类别,输入电路可分为直流输入电路,交流输入电路和交直流输入电路三种。有些输入控制电路还具有与TTL/CMOS兼容,正负逻辑控制和反相等功能。固态继电器的输入与输出电路的隔离和耦合方式有光电耦合和变压器耦合两种。固态继电器的输出电路也可分为直流输出电路,交流输出电路和交直流输出电路等形式。交流输出时,通常使用两个可控硅或一个双向可控硅,直流输出时可使用双极性器件或功率场效应管。 可控硅只是电子开关执行元件,本身不具备信号识别、放大,逻辑控制,隔离等功能,在固态继电器中担当输出时的开关功能。
固态调压器又叫可控硅调压器,调压器就是能调压,可以根椐输入信号来改变导通角,改变输出电压,能线性输出。固态调压器是和移相调压触发板,加可控硅集成的模块化的产品,接线简单,使用方便,可以接受模拟信号(4-20MA,0-10V,1-5V等)和PLC等电脑联接实现全自动调功、调压、调速、调温等。
功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。
而且,通过大幅减少寄生电容※4(开关过程中的课题),与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。
因此,采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代SiC MOSFET,将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。本产品已于2020年6月份开始以裸芯片的形式依次提供样品,未来计划以分立封装的形式提供样品。
新一代电动汽车(xEV)的进一步普及,促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统,其小型高效化已成为重要课题之一,这就要求进一步改进功率元器件。
在电动汽车(EV)领域,为延长续航里程,车载电池的容量呈日益增加趋势。与此同时,要求缩短充电时间,并且电池的电压也越来越高(800V)。为了解决这些课题,能够实现高耐压和低损耗的SiC功率元器件被寄予厚望。
全球率先开始了SiC MOSFET的量产。ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容,并在车载充电器(On Board Charger:OBC)等领域拥有很高的市场份额。此次,导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代SiC MOSFET的推出,除现有市场之外,还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。
ROHM将会不断壮大SiC功率元器件的产品阵容,并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势,继续为下一代汽车技术创新贡献力量。另外,ROHM还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案,帮助客户解决问题。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
PPC750L-FBOB450固态继电器有三部分组成:输入电路,隔离(耦合)和输出电路。按输入电压的不同类别,输入电路可分为直流输入电路,交流输入电路和交直流输入电路三种。有些输入控制电路还具有与TTL/CMOS兼容,正负逻辑控制和反相等功能。固态继电器的输入与输出电路的隔离和耦合方式有光电耦合和变压器耦合两种。固态继电器的输出电路也可分为直流输出电路,交流输出电路和交直流输出电路等形式。交流输出时,通常使用两个可控硅或一个双向可控硅,直流输出时可使用双极性器件或功率场效应管。 可控硅只是电子开关执行元件,本身不具备信号识别、放大,逻辑控制,隔离等功能,在固态继电器中担当输出时的开关功能。
固态调压器又叫可控硅调压器,调压器就是能调压,可以根椐输入信号来改变导通角,改变输出电压,能线性输出。固态调压器是和移相调压触发板,加可控硅集成的模块化的产品,接线简单,使用方便,可以接受模拟信号(4-20MA,0-10V,1-5V等)和PLC等电脑联接实现全自动调功、调压、调速、调温等。
功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。
此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。
而且,通过大幅减少寄生电容※4(开关过程中的课题),与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。
因此,采用低导通电阻和高速开关性能兼具的第4代SiC MOSFET,将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。本产品已于2020年6月份开始以裸芯片的形式依次提供样品,未来计划以分立封装的形式提供样品。
新一代电动汽车(xEV)的进一步普及,促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。特别是在驱动中发挥核心作用的主机逆变器系统,其小型高效化已成为重要课题之一,这就要求进一步改进功率元器件。
在电动汽车(EV)领域,为延长续航里程,车载电池的容量呈日益增加趋势。与此同时,要求缩短充电时间,并且电池的电压也越来越高(800V)。为了解决这些课题,能够实现高耐压和低损耗的SiC功率元器件被寄予厚望。
全球率先开始了SiC MOSFET的量产。ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的产品阵容,并在车载充电器(On Board Charger:OBC)等领域拥有很高的市场份额。此次,导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡的第4代SiC MOSFET的推出,除现有市场之外,还将加速在以主机逆变器为主的市场中的应用。
ROHM将会不断壮大SiC功率元器件的产品阵容,并结合充分发挥元器件性能的控制IC等外围元器件和模块化技术优势,继续为下一代汽车技术创新贡献力量。另外,ROHM还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题的在线仿真工具在内的多样化解决方案,帮助客户解决问题。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
上一篇:隔离功能的无触点电子开关
上一篇:单相交流负载的额定电压