无缝升级路径接口的光模块迁移
发布时间:2020/3/19 20:41:01 访问次数:619
M4A3-128/64-10VC100G串行电信号传输光模块,使电气和光学 I/O 接口速度的 1:1 映射成为可能。400GbE光模块内部不再需要额外的电路,从50G 电气I/O接口到100GLambda光学I/O接口的转换,降低成本和功耗。Marvell率先面向市场推出具有100G串行I/O接口的PHY收发器,为网络OEM提供了开发QSFP-DD和OSFP外形规格高密度双端口400G/八端口100G光模块所需的尖端技术。
MIC38HC45BM规格信息:标准包装:95
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
系列:-
包装:管件
PWM 类型:电流模式
输出数:1
频率 - 最大值:500kHz
占空比:50%
电压 - 电源:7.6 V ~ 20 V
降压:是
升压:是
反激式:是
反向:无
倍增器:无
分频器:无
Cuk:无
隔离式:是
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ROHS: 含铅

Marvell最新的双端口400GbE MACsec PHY 88X9121P支持基于50G PAM4和100G PAM4的400GbE、200GbE和100GbE部署之间的转换,交换机ASIC与下一代光学器件之间的双向互连。88X9121P与最新发布的88X7121P在封装及软件方面相互兼容,提供无缝升级路径,向具有100GbE串行 I/O接口的光模块迁移。
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ECH-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 11.8 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: ECH8659
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 2.2 S
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 10 ns

(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
M4A3-128/64-10VC100G串行电信号传输光模块,使电气和光学 I/O 接口速度的 1:1 映射成为可能。400GbE光模块内部不再需要额外的电路,从50G 电气I/O接口到100GLambda光学I/O接口的转换,降低成本和功耗。Marvell率先面向市场推出具有100G串行I/O接口的PHY收发器,为网络OEM提供了开发QSFP-DD和OSFP外形规格高密度双端口400G/八端口100G光模块所需的尖端技术。
MIC38HC45BM规格信息:标准包装:95
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
系列:-
包装:管件
PWM 类型:电流模式
输出数:1
频率 - 最大值:500kHz
占空比:50%
电压 - 电源:7.6 V ~ 20 V
降压:是
升压:是
反激式:是
反向:无
倍增器:无
分频器:无
Cuk:无
隔离式:是
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ROHS: 含铅

Marvell最新的双端口400GbE MACsec PHY 88X9121P支持基于50G PAM4和100G PAM4的400GbE、200GbE和100GbE部署之间的转换,交换机ASIC与下一代光学器件之间的双向互连。88X9121P与最新发布的88X7121P在封装及软件方面相互兼容,提供无缝升级路径,向具有100GbE串行 I/O接口的光模块迁移。
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ECH-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 11.8 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: ECH8659
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 2.2 S
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 10 ns

(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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