TDA1517ATW 有源RTZ电路激活以释放发射机的输出内部节点
发布时间:2020/3/16 20:18:43 访问次数:821
TDA1517ATW每个通道都能摆动到±80V,有效放电恢复到0V。HV7358是一个16通道,3级高压超声发射机,内置数字波束形成器。输出可以源和汇超过1.6A,以实现快速的输出上升和下降时间。主动放电还能够±1.6A快速返回地面。HV7358还具有可编程输出电流。输出电流可通过I2C接口编程。所有16个通道都有内置的输出保护二极管和钳位二极管。HV7358具有16个集成T/R开关、一个接收阻尼电路和一个有源RTZ电路。有源RTZ电路的典型RON为300Ω。当发送突发结束时,有源RTZ电路激活以释放发射机的输出内部节点。
输出mosfet的栅极驱动器由内置的线性浮动稳压器(参考VPP和VNN)供电。这种直接耦合的栅极驱动器拓扑结构消除了对栅极驱动器和浮动电源电路的需求。
HV7358具有内部低抖动PLL时钟乘法器,用于为内置数字波束形成器生成延迟时钟。时钟输入必须接受LVDS差分系统时钟,频率在PLL模式下为30 MHz(最小)至80 MHz(最大),在非PLL模式下为30 MHz(最小)至200 MHz(最大)。时钟倍增器可通过x1、x2、x3、x4、x5、x6和x8进行编程,最大延迟时钟频率可高达200兆赫,允许增量延迟低至5纳秒。此功能消除了需要耗电的外部时钟合成器/乘法器从系统/采样时钟生成高频延迟时钟的需要。发射机输出与延迟时钟同步以降低相位噪声。
Eval-M5-E1B1245N-SiC冷却液™ 7.5kw MOSFET电机驱动评估板
这个完整的评估板包括一个用于电机驱动应用的三相碳化硅电源模块。与配备M5 32针接口连接器(如XMC驱动卡4400)的控制板相结合,它具有并演示了我们的CoolSiC™ 电机驱动中的mosfet。
开发评估板是为了在客户使用六块电源模块FS45MR12W1M1_B11和EiceDRIVER设计应用程序的第一步中为其提供支持™ 1200 V隔离门驱动器1EDI20H12AH。该模块的额定阻断电压为1200 V,典型的导通电阻为45 mOhm。它是优化的电机驱动应用与非常高的频率开关操作。

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(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
TDA1517ATW每个通道都能摆动到±80V,有效放电恢复到0V。HV7358是一个16通道,3级高压超声发射机,内置数字波束形成器。输出可以源和汇超过1.6A,以实现快速的输出上升和下降时间。主动放电还能够±1.6A快速返回地面。HV7358还具有可编程输出电流。输出电流可通过I2C接口编程。所有16个通道都有内置的输出保护二极管和钳位二极管。HV7358具有16个集成T/R开关、一个接收阻尼电路和一个有源RTZ电路。有源RTZ电路的典型RON为300Ω。当发送突发结束时,有源RTZ电路激活以释放发射机的输出内部节点。
输出mosfet的栅极驱动器由内置的线性浮动稳压器(参考VPP和VNN)供电。这种直接耦合的栅极驱动器拓扑结构消除了对栅极驱动器和浮动电源电路的需求。
HV7358具有内部低抖动PLL时钟乘法器,用于为内置数字波束形成器生成延迟时钟。时钟输入必须接受LVDS差分系统时钟,频率在PLL模式下为30 MHz(最小)至80 MHz(最大),在非PLL模式下为30 MHz(最小)至200 MHz(最大)。时钟倍增器可通过x1、x2、x3、x4、x5、x6和x8进行编程,最大延迟时钟频率可高达200兆赫,允许增量延迟低至5纳秒。此功能消除了需要耗电的外部时钟合成器/乘法器从系统/采样时钟生成高频延迟时钟的需要。发射机输出与延迟时钟同步以降低相位噪声。
Eval-M5-E1B1245N-SiC冷却液™ 7.5kw MOSFET电机驱动评估板
这个完整的评估板包括一个用于电机驱动应用的三相碳化硅电源模块。与配备M5 32针接口连接器(如XMC驱动卡4400)的控制板相结合,它具有并演示了我们的CoolSiC™ 电机驱动中的mosfet。
开发评估板是为了在客户使用六块电源模块FS45MR12W1M1_B11和EiceDRIVER设计应用程序的第一步中为其提供支持™ 1200 V隔离门驱动器1EDI20H12AH。该模块的额定阻断电压为1200 V,典型的导通电阻为45 mOhm。它是优化的电机驱动应用与非常高的频率开关操作。

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