台积电与Freescale合作SOI技术
发布时间:2007/8/31 0:00:00 访问次数:417
台积电近日宣布已和美商Freescale半导体公司签订合约，双方将共同发展新一代的绝缘层上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)高性能芯片前段技术，并以开发65纳米的互补金氧半导体(CMOS)制程技术为目标。在这项合约中，同时包含了Freescale公司将其90纳米绝缘层上覆硅技术授权予台积电用于制造产品。
台积电表示，Freescale公司在绝缘层上覆硅技术有宝贵的经验和专业，而在专业集成电路制造服务领域，台积电在包括绝缘层上覆硅技术等先进制程发展上也占有领导地位；结合双方的长处，将使共同开发的绝缘层上覆硅技术更具竞争优势。
Freescale指出，我们为客户提供高性能绝缘层上覆硅产品已有四年的时间。此外，台积电长期以来一直是Freescale公司在专业集成电路制造服务上的优良供货商，同时，台积电还与Freescale，飞利浦及意法半导体在法国Grenoble附近的Crolles结盟合作发展制程技术，因此，Freescale公司与台积电长期以来维持十分良好的伙伴关系，并期待能与台积电共同开发65纳米绝缘层上覆硅高性能芯片技术。
台积电和Freescale公司个别单独投入绝缘层上覆硅技术的发展，均已有数年的时间。Freescale公司自1980年代中期起迄今已成功开发出三代的绝缘层上覆硅技术，并于2001年开始生产绝缘层上覆硅产品，相关产品出货量已超过700万颗，目前更在美国德州奥斯汀的Dan Noble Center建立90纳米互补金氧半导体制程绝缘层上覆硅技术的平台，以生产新一代的高性能网络传输与运算产品。台积电则自1990年代后期起从0.13微米制程开始自行开发绝缘层上覆硅技术，并在绝缘层上覆硅组件及静态随机存取内存(SRAM)电路元的开发上有卓越的成果。
通过此项合作计划的推动，双方将共同开发65纳米绝缘层上覆硅制程的前段技术，将可加速相关产品的上市时程，并拓展此技术在不同市场的创新应用。同时，双方将各自针对其客户不同的应用，发展相关后段金属化的制造技术。其中，台积电将以其设于台湾的十二吋晶圆厂为其客户提供制造服务，用以生产强调快速及高性能的网络传输与运算等相关产品。此外，台积电也将开发低耗电的制程，以提供行动式应用产品更多的选择。Freescale公司则计划将此项技术移转到该公司与飞利浦及意法半导体所合作的法国Crolles2研发及试产基地。
关于SOI (绝缘层上覆硅)技术
绝缘层上覆硅(SOI)制程技术，可使芯片运作的速度比单纯的只采用车幕ゲ菇鹧醢氲继寤?bulk CMOS)更快，尤其适合应用于更高速度以及兼具省电要求的产品。此外，这项技术也适用于低耗电的产品应用。
绝缘层上覆硅技术是标准互补金氧半导体制程的强化，以硅为基板覆以绝缘层，以隔开活跃的晶体管元素。绝缘层上覆硅技术降低了硅基板与电子组件之间的电容量，可降低电力的消耗，同时提高了数字电路的速度。绝缘层上覆硅技术可帮助所有射频集成电路产品更能有效地隔绝信号干扰，并减少基板造成的信号流失。Freescale公司是业界提供绝缘层上覆硅技术并能量产的先驱公司。
台积电与Freescale公司的65纳米绝缘层上覆硅技术高性能芯片合作发展计划，将会在Freescale公司位于美国德州奥斯汀的Dan Noble Center中进行，该中心一直是Freescale公司开发及生产绝缘层上覆硅产品的主要基地。
台积电近日宣布已和美商Freescale半导体公司签订合约，双方将共同发展新一代的绝缘层上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)高性能芯片前段技术，并以开发65纳米的互补金氧半导体(CMOS)制程技术为目标。在这项合约中，同时包含了Freescale公司将其90纳米绝缘层上覆硅技术授权予台积电用于制造产品。
台积电表示，Freescale公司在绝缘层上覆硅技术有宝贵的经验和专业，而在专业集成电路制造服务领域，台积电在包括绝缘层上覆硅技术等先进制程发展上也占有领导地位；结合双方的长处，将使共同开发的绝缘层上覆硅技术更具竞争优势。
Freescale指出，我们为客户提供高性能绝缘层上覆硅产品已有四年的时间。此外，台积电长期以来一直是Freescale公司在专业集成电路制造服务上的优良供货商，同时，台积电还与Freescale，飞利浦及意法半导体在法国Grenoble附近的Crolles结盟合作发展制程技术，因此，Freescale公司与台积电长期以来维持十分良好的伙伴关系，并期待能与台积电共同开发65纳米绝缘层上覆硅高性能芯片技术。
台积电和Freescale公司个别单独投入绝缘层上覆硅技术的发展，均已有数年的时间。Freescale公司自1980年代中期起迄今已成功开发出三代的绝缘层上覆硅技术，并于2001年开始生产绝缘层上覆硅产品，相关产品出货量已超过700万颗，目前更在美国德州奥斯汀的Dan Noble Center建立90纳米互补金氧半导体制程绝缘层上覆硅技术的平台，以生产新一代的高性能网络传输与运算产品。台积电则自1990年代后期起从0.13微米制程开始自行开发绝缘层上覆硅技术，并在绝缘层上覆硅组件及静态随机存取内存(SRAM)电路元的开发上有卓越的成果。
通过此项合作计划的推动，双方将共同开发65纳米绝缘层上覆硅制程的前段技术，将可加速相关产品的上市时程，并拓展此技术在不同市场的创新应用。同时，双方将各自针对其客户不同的应用，发展相关后段金属化的制造技术。其中，台积电将以其设于台湾的十二吋晶圆厂为其客户提供制造服务，用以生产强调快速及高性能的网络传输与运算等相关产品。此外，台积电也将开发低耗电的制程，以提供行动式应用产品更多的选择。Freescale公司则计划将此项技术移转到该公司与飞利浦及意法半导体所合作的法国Crolles2研发及试产基地。
关于SOI (绝缘层上覆硅)技术
绝缘层上覆硅(SOI)制程技术，可使芯片运作的速度比单纯的只采用车幕ゲ菇鹧醢氲继寤?bulk CMOS)更快，尤其适合应用于更高速度以及兼具省电要求的产品。此外，这项技术也适用于低耗电的产品应用。
绝缘层上覆硅技术是标准互补金氧半导体制程的强化，以硅为基板覆以绝缘层，以隔开活跃的晶体管元素。绝缘层上覆硅技术降低了硅基板与电子组件之间的电容量，可降低电力的消耗，同时提高了数字电路的速度。绝缘层上覆硅技术可帮助所有射频集成电路产品更能有效地隔绝信号干扰，并减少基板造成的信号流失。Freescale公司是业界提供绝缘层上覆硅技术并能量产的先驱公司。
台积电与Freescale公司的65纳米绝缘层上覆硅技术高性能芯片合作发展计划，将会在Freescale公司位于美国德州奥斯汀的Dan Noble Center中进行，该中心一直是Freescale公司开发及生产绝缘层上覆硅产品的主要基地。
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