英飞凌成功测试内存缓冲器芯片
发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:358
英飞凌科技日前宣布，已为下一代使用DDR2的DRAM服务器组件成功测试了业界首颗先进内存缓冲器(AMB)测试芯片。这种AMB是FB-DIMMs的核心，而FB-DIMM则将会是服务器内存的新标准。DDR2 DRAM的FB-DIMM工程测试样本计划在2004年第4季推出，而正式上市则计划在2005年的下半年。
英飞凌的AMB测试芯片首度把关键性的高速输入/输出阶段与其它的高速功能一起执行，例如是英飞凌本身的逻辑制程(logic process)技术中的资料插入(data- insertion)与资料转送 (data-forwarding)〉线路。这种FB-DIMM标准预见到一项六倍的资料多工以及更高的速度来减少内存通道的实体宽度，而且把传输延迟(throughput latency)降到最低。
英飞凌结合本身对于高频芯片设计与DRAM技术的专精来执行完整的解决方案，从而在AMB与FB-DIMMs的开发上获得领导地位。
（转自 中电网）
英飞凌科技日前宣布，已为下一代使用DDR2的DRAM服务器组件成功测试了业界首颗先进内存缓冲器(AMB)测试芯片。这种AMB是FB-DIMMs的核心，而FB-DIMM则将会是服务器内存的新标准。DDR2 DRAM的FB-DIMM工程测试样本计划在2004年第4季推出，而正式上市则计划在2005年的下半年。
英飞凌的AMB测试芯片首度把关键性的高速输入/输出阶段与其它的高速功能一起执行，例如是英飞凌本身的逻辑制程(logic process)技术中的资料插入(data- insertion)与资料转送 (data-forwarding)〉线路。这种FB-DIMM标准预见到一项六倍的资料多工以及更高的速度来减少内存通道的实体宽度，而且把传输延迟(throughput latency)降到最低。
英飞凌结合本身对于高频芯片设计与DRAM技术的专精来执行完整的解决方案，从而在AMB与FB-DIMMs的开发上获得领导地位。
（转自 中电网）
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