TPS2044DR移相控制电压从4脚输人;5脚为故障保护时封锁脉冲的控制端(高电平动作);6脚为脉冲分配方式控制端,6脚接低电平为三相半控桥式(或半波)触发,6脚接高电平为三相全控桥式触发,输出双脉冲,正组与负组每60°交错换相。

典型接线及各点波形如图14-20所示。

使用中应注意的问题。同步电压零点取在电源电压言处,要求将同步信号用电阻作;分压后,通过电容耦合到输人端;积分电容应选用精度较高(误差<5%)的电容器,当r=50 Hz时,取C=0.15 uF左右;6脚不要悬空,以防误动作。

电力半导体器件，电力场效应管(MOsFET) 场效应管是通过改变电场来控制同体材料导电能力的有源器件,具有体积小、质量轻、耗电少、使用寿命长以及输人阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点。根据结构不同。场效应管分为两大类:结型场效应管(简称J「ET)和绝缘栅型场效应管(简称IGFET)。

电力场效应管(MOS「ET)属于绝缘栅型场效应管。在结构上,对外有二个电极:

源极s、栅极g和漏极d。其内部,栅极与其他两极是绝缘的。当栅极加上电压时,可控制其导电沟道的宽度(即控制源一漏极之间导通电流)及关断和导通状态。它属于电压控制型元件,其栅极不消耗功率,△∶作频率高。但由于元件是靠一种载流子导电的,为单极型器件,囚此元件本身电流容量有限c

电力晶体管(GTR) 是一种双极型大功率晶体管,内部多采用达林顿结构,使得电流放大倍数高。它属于电流控制型元件c该器件的功率大,需要的驱动电流也大。但过载能力差,容易发生二次击穿现象。工作频率高。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是由单极型的MOs管和双极型晶体管复合而成的新型器件,兼有MOs管和晶体管二者的优点,属于电压驱动型器件。它具有输人阻

抗高、工作频率高、驱动功率小、饱和压降低、功耗低等特点,还具有大电流处理能力,是很有发展前途的功率电子器件。

电力场效应管、电力晶体管和绝缘栅双极型晶体管在逆变器和斩波器中的应用

上述二种功率电子器件共同的特点是都具有自关断能力,因此在逆变器和斩波器电路中获得广泛的应用。因为在把直流电能转换为交流电能的DC->AC逆变器中,以及在把直流电能的参数(幅值、极性)加以转换的DC→DC斩波器中,都必须要采用辅助换流及在电路中设置独立的换流支路来实现电路之间电流的转换,从而达到逆变和斩波的目的。由于这三种元件都具有自关断功能和输出输入的快速响应,比晶间管逆变器和斩波器在电路结构上更简单、效率更高、成本更低,因而应用越来越广泛,如用于开关稳压电源、变频调速装置等。

电子设备防干扰知识,由于电子设各的元件输人信号较小,并且一般放大倍数都比较大,因此极易受外界的干扰而产生误动作。

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