LT1004MD-2-5在BC或DE段,TN和TP两管中,总有一个工作在饱和区,另一个工作在可变电阻区,此时输出电流比较大,传输特性变化比较快,两管在″I=yDD/2处转换状态。

在CD段,由于TN和TP两管均工作在饱和区,此时vI=/DD/2,电流JD达到最大值。在两管均导通的过渡区域,由于电流较大,因而产生较大的功耗。使用时应避免使两管长时间工作在此区域,以防止功耗过大而损坏。当%N<vI(yDD~|%P|时,TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的,一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应注意到,器件在饱和区(放大区)呈现恒流特性,两管之一可当作高阻值的负载。因此,在过渡区域,传输特性变化比较急剧。两管在vI=yDD/2处于转换状态。

工作速度,CMOs反相器或CMOs电路用于驱动其他MOS器件时,其负载的输人阻

抗是电容性的。由于电路具有互补对称的性质,其参数莎pLH和苫pHL是相等的。图3.1,12所示为当vI=0时,TN截止,Tp导通,由yDD通过TP向负载电容CL充电的情况。由于CMOs反相器中,两管的gm值均设计得较大,其导通电阻较小,充电回路的时间常数较小。类似地,可分析电容CL的放电过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。

CMOs系列逻辑门电路中,除上述介绍的非门(反相器)外,还有与非门、或非门、异或门等电路。并且实际的CMOs逻辑电路,多数都带有输入保护电路和缓冲电路。