GBA32DTKN栅源电压UGS
发布时间:2019/9/30 13:13:39 访问次数:2720
GBA32DTKN结型场效应管的结构、符号如图8-1所示。
结型场效应管由两个PN结和一个导电沟道所组成,三个电极分别为源极s、漏极D和栅极G,源极和漏极具有互换性。
在 D、S间加上电压UDs之后 ,源极与漏极之间形成电流ID,通过改变栅极和源极的反向电压UGs,来 改变两个PN结耗尽层的宽度 ,从而改变沟道电阻 ,沟道 电阻改变就会改变漏极电流ID。栅源电压UGs对导电沟道的影响如图8-2所示.
为保证N沟道结型场效应管正常工作,应保证栅极与源极之间加负向电压(UGS<0),两侧PN结均处于反向偏置,栅源电流几为零.源极和漏极之间加正向电压(UDS>0),使N型半导体中的电子(多数载流子)由源极出发 ,经过沟道到达漏极形成漏极电流lD。
开启电压 (UT)就是沟道刚刚产生时所需的栅源电压UGS.
在预夹断处UGD=UGD-UDS=UPO
结型场效应管的特性曲线
转移特性曲线 转移特性曲线是指栅源电压UGs对漏极电流ID的控制作用 ,如图8-4所示 。
GBA32DTKN结型场效应管的结构、符号如图8-1所示。
结型场效应管由两个PN结和一个导电沟道所组成,三个电极分别为源极s、漏极D和栅极G,源极和漏极具有互换性。
在 D、S间加上电压UDs之后 ,源极与漏极之间形成电流ID,通过改变栅极和源极的反向电压UGs,来 改变两个PN结耗尽层的宽度 ,从而改变沟道电阻 ,沟道 电阻改变就会改变漏极电流ID。栅源电压UGs对导电沟道的影响如图8-2所示.
为保证N沟道结型场效应管正常工作,应保证栅极与源极之间加负向电压(UGS<0),两侧PN结均处于反向偏置,栅源电流几为零.源极和漏极之间加正向电压(UDS>0),使N型半导体中的电子(多数载流子)由源极出发 ,经过沟道到达漏极形成漏极电流lD。
开启电压 (UT)就是沟道刚刚产生时所需的栅源电压UGS.
在预夹断处UGD=UGD-UDS=UPO
结型场效应管的特性曲线
转移特性曲线 转移特性曲线是指栅源电压UGs对漏极电流ID的控制作用 ,如图8-4所示 。