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损毁MOsFET和CMOS的元器件栅极

发布时间:2019/7/13 17:23:55 访问次数:602

    静电放电时,通常通过以下4种方式影响电子设各:

    (1)初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离ESD电弧100mm处产生高达数千伏每米的高电场。

   (2)电弧注入的电荷、 F0512S-1W电流可以产生以下的损坏和故障:①穿透元器件的内部薄绝缘层,损毁MOsFET和CMOS的元器件栅极;②CMOS器件中的触发器锁死;③短路反偏的PN结;④短路正向偏置的PN结;⑤熔化有源器件内部的焊接线或铝线。

   (3)电流会导致导体上产生电压脉冲(σ=Ldj/d莎),这些导体可能是电源、地或信号线,这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件。

   (4)电弧会产生一个频率范围在I~500MHz的强磁场,并感性耦合到邻近的每个布线环路中,在离ESD电弧100mm远处的地方产生高达数十安每米的磁场。电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上,这些信号线起到了接收天线的作用。

   在进行电源端口±2kⅤ、信号端口±1kⅤ的电快速瞬变脉冲群(EFT/B)测试时发现,当P1、P2、P3同时接地时,测试均不能通过;当只有P1接地时,电源口的E田/B测试可以通过,信号电缆1与信号电缆2测试均不能通过;当Pl、P2接地、P3不接地时,电源口与信号电缆1(屏蔽电缆)的EFT/B坝刂试可以通过,但是信号电缆2(屏蔽电缆)的EFT/B测试不能通硭;当Pl、P3接地、P2不接地时,电源口与信号电缆2的EFT/B测试可以通过,但是信号电缆3的Er'/B测试不能通过;当P1、P2、P3都接地时,所有端口的EFT/B测试不能通过。


   对于本案例出现问题的解释,完全可以参考案例10,只是这里出现的是螺钉而非DB连接器。

   去除绝缘漆,使静电泄放通道保持良好的电连续性。实践证明,具有长宽比小于5,且没有任何缝隙、通孔的单一金属导体具有良好的电连续性。

   (1)接地导体的电连续性设计对提高系统的抗ESD能力极为重要。

   (2)ESD定位中,在金属搭接点测试中出现问题,首先要检查搭接是否良好。

   (3)喷漆导致电连续性不好是结构设计、工艺处理中EMC的常见问题。从这方面来讲,产品良好的EMC特性,不仅是设计出来的,还包括工艺、生产、流程等。





    静电放电时,通常通过以下4种方式影响电子设各:

    (1)初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离ESD电弧100mm处产生高达数千伏每米的高电场。

   (2)电弧注入的电荷、 F0512S-1W电流可以产生以下的损坏和故障:①穿透元器件的内部薄绝缘层,损毁MOsFET和CMOS的元器件栅极;②CMOS器件中的触发器锁死;③短路反偏的PN结;④短路正向偏置的PN结;⑤熔化有源器件内部的焊接线或铝线。

   (3)电流会导致导体上产生电压脉冲(σ=Ldj/d莎),这些导体可能是电源、地或信号线,这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件。

   (4)电弧会产生一个频率范围在I~500MHz的强磁场,并感性耦合到邻近的每个布线环路中,在离ESD电弧100mm远处的地方产生高达数十安每米的磁场。电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上,这些信号线起到了接收天线的作用。

   在进行电源端口±2kⅤ、信号端口±1kⅤ的电快速瞬变脉冲群(EFT/B)测试时发现,当P1、P2、P3同时接地时,测试均不能通过;当只有P1接地时,电源口的E田/B测试可以通过,信号电缆1与信号电缆2测试均不能通过;当Pl、P2接地、P3不接地时,电源口与信号电缆1(屏蔽电缆)的EFT/B坝刂试可以通过,但是信号电缆2(屏蔽电缆)的EFT/B测试不能通硭;当Pl、P3接地、P2不接地时,电源口与信号电缆2的EFT/B测试可以通过,但是信号电缆3的Er'/B测试不能通过;当P1、P2、P3都接地时,所有端口的EFT/B测试不能通过。


   对于本案例出现问题的解释,完全可以参考案例10,只是这里出现的是螺钉而非DB连接器。

   去除绝缘漆,使静电泄放通道保持良好的电连续性。实践证明,具有长宽比小于5,且没有任何缝隙、通孔的单一金属导体具有良好的电连续性。

   (1)接地导体的电连续性设计对提高系统的抗ESD能力极为重要。

   (2)ESD定位中,在金属搭接点测试中出现问题,首先要检查搭接是否良好。

   (3)喷漆导致电连续性不好是结构设计、工艺处理中EMC的常见问题。从这方面来讲,产品良好的EMC特性,不仅是设计出来的,还包括工艺、生产、流程等。





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