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压敏电阻器是一种电压非线性元件

发布时间:2019/6/29 18:03:06 访问次数:1401

    压敏电阻器是一种电压非线性元件,其电阻值随施加电压的增加而急剧减小, G3VM-201G可起到过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体器件等作用,广泛应用于电子设备中。压敏电阻器按材质分类主要有碳化硅压敏电阻器和氧化锌压敏电阻器;按结构分类主要有圆片形和片式多层两种结构。氧化锌压敏电阻器是目前性能最好且应用最广泛的压敏电阻器。氧化锌压敏电阻器的基本性能包括:压敏电压、最大连续工作电压、最大峰值电流、能量耐量和限制电压。

   电容器是由绝缘介质材料隔离的两个导体表面组成的元件。电容器是一种储能元件,具有隔直流和通交流的能力,广泛用于隔直流、耦合、旁路、滤波、振回路调谐、能量转换、控制电路中的时间常数等。根据所使用的介质材料不同,电容器可分为瓷介电容器、电解电容器、有机薄膜电容器和云母介质电容器等。

   有机薄膜电容器按介质材料可分为聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺等弱极性有机介质电容器和聚丙烯、聚四氟乙烯等非极性有机介质电容器。其中非极性有机介质电容器具有介质损耗低、介电常数小的特点。有机薄膜电容器按电极结构可分为金属化薄膜电容器和金属箔式电容器。金属化薄膜电容器有自愈特性和开路失效特性,是有机电容器中应用最广的一类电容器。金属箔式电容器工作电流有效值和峰值更大,抗冲击电流能力更强。瓷介电容器通常分为单层瓷介电容器和多层瓷介电容器(MLCC)两大类。单层瓷介电容器主要是交流高压圆片瓷介电容器和微波/毫米波单片电容器。按瓷介质材料特性可分为l类、2类、3类瓷介电容器。执行的规范是GJB468A-2011

《1类瓷介固定电容器通用规范》、GJB9γA―⒛⒓《2类瓷介固定容器通用规范》、GJB1433―”《瓷介微调可变电容器总规范》、GJB1”B―⒛l1《有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范》、GJB4157A~⒛11《高可靠瓷介固定电容器通用规范》。3类半导体晶界层陶瓷,以钛酸钡为主晶相,具有X7R温度特性,介电常数比2类X7R陶瓷高一个数量级,达3000以上,介质损耗比2类X7R陶瓷低一个数量级,tanδ≤3×10名,具有ε随频率升高而下降的色散特性,特别适用于RFI/EMI滤波或作微波宽带(15kHz~佃GHz)耦合电容器。


    压敏电阻器是一种电压非线性元件,其电阻值随施加电压的增加而急剧减小, G3VM-201G可起到过电压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体器件等作用,广泛应用于电子设备中。压敏电阻器按材质分类主要有碳化硅压敏电阻器和氧化锌压敏电阻器;按结构分类主要有圆片形和片式多层两种结构。氧化锌压敏电阻器是目前性能最好且应用最广泛的压敏电阻器。氧化锌压敏电阻器的基本性能包括:压敏电压、最大连续工作电压、最大峰值电流、能量耐量和限制电压。

   电容器是由绝缘介质材料隔离的两个导体表面组成的元件。电容器是一种储能元件,具有隔直流和通交流的能力,广泛用于隔直流、耦合、旁路、滤波、振回路调谐、能量转换、控制电路中的时间常数等。根据所使用的介质材料不同,电容器可分为瓷介电容器、电解电容器、有机薄膜电容器和云母介质电容器等。

   有机薄膜电容器按介质材料可分为聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺等弱极性有机介质电容器和聚丙烯、聚四氟乙烯等非极性有机介质电容器。其中非极性有机介质电容器具有介质损耗低、介电常数小的特点。有机薄膜电容器按电极结构可分为金属化薄膜电容器和金属箔式电容器。金属化薄膜电容器有自愈特性和开路失效特性,是有机电容器中应用最广的一类电容器。金属箔式电容器工作电流有效值和峰值更大,抗冲击电流能力更强。瓷介电容器通常分为单层瓷介电容器和多层瓷介电容器(MLCC)两大类。单层瓷介电容器主要是交流高压圆片瓷介电容器和微波/毫米波单片电容器。按瓷介质材料特性可分为l类、2类、3类瓷介电容器。执行的规范是GJB468A-2011

《1类瓷介固定电容器通用规范》、GJB9γA―⒛⒓《2类瓷介固定容器通用规范》、GJB1433―”《瓷介微调可变电容器总规范》、GJB1”B―⒛l1《有失效率等级的无包封多层片式瓷介固定电容器通用规范》、GJB4157A~⒛11《高可靠瓷介固定电容器通用规范》。3类半导体晶界层陶瓷,以钛酸钡为主晶相,具有X7R温度特性,介电常数比2类X7R陶瓷高一个数量级,达3000以上,介质损耗比2类X7R陶瓷低一个数量级,tanδ≤3×10名,具有ε随频率升高而下降的色散特性,特别适用于RFI/EMI滤波或作微波宽带(15kHz~佃GHz)耦合电容器。


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