晶体管特性参数
发布时间:2019/6/22 18:40:02 访问次数:3675
晶体管特性参数
(1)击穿电压:晶体管在工作中,反向输出电流急剧增大时所对应的反向电压。EC9401-3.3-AF
(2)饱和电压:输出的集电极电流IC只诀定于外部电路的参量而与输入电流无关时对应的电压值。
(3)截止电流(反向电流):当发射极(或集电极)开路,其反向电压为规定值时,流过基极-集电极结(或基极一发射极结)的反向电流。
(4)开关晶体管的延迟时间:给开关晶体管的输入端施加使其从非导通态转变为导通态的脉冲开始,到由电荷载流子引起的脉冲在输出端上出现为止的时间间隔。
(5)开关晶体管的上升时间:当开关晶体管从非导通态转变为导通态时,在输出端子上脉冲的数值分别达到规定的上限和下限两个瞬间的时间间隔。
(6)开关晶体管的下降时间:当开关晶体管从导通态转变为非导通态时,在输出端子上脉冲的数值分别达到规定的上限和下限两个瞬间的时间间隔。
(7)最高振荡频率:在规定的条件下,晶体管振荡的最高频率。
(8)特征频率:共发射极小信号短路正向电流传输比的模数|九1e|和测量频率(所选择的测量频率应使|绕1c|以近似6dB/倍频程递减)的乘积。
(9)小信号短路正向电流传输比:在小信号条件下,输出对交流短路时,交流输出电流与产生它的小的正弦输入电流之比。
(10)正向电流传输比的静态值:输出电压保持不变时,输出直流电流与输入直流电流之比。
(11)固有(大信号)正向电流传输比:当集电极一发射极电压值为规定的常数时,集电极直流电流与集电极-基极截止电流的差除以基极直流电流与集电极一基极截止电流的和。
(⒓)小信号开路反向电压传输比:在小信号条件,下输入端交流开路时输入端上的交流电压与施加在输出端上的交流电压之比。
(13)开关晶体管的饱和瞬态电流比:晶体管的瞬态集电极电流与维持饱和所必须的最小基极电流之比。
(14)阿莱电压:在以基极电流作为参变量的集电极电流与集电极一发射极电压的关系图上,把输出特性反向外推到电压轴上,与此交点对应的电压称为阿莱电压,如图5-11所示。
晶体管特性参数
(1)击穿电压:晶体管在工作中,反向输出电流急剧增大时所对应的反向电压。EC9401-3.3-AF
(2)饱和电压:输出的集电极电流IC只诀定于外部电路的参量而与输入电流无关时对应的电压值。
(3)截止电流(反向电流):当发射极(或集电极)开路,其反向电压为规定值时,流过基极-集电极结(或基极一发射极结)的反向电流。
(4)开关晶体管的延迟时间:给开关晶体管的输入端施加使其从非导通态转变为导通态的脉冲开始,到由电荷载流子引起的脉冲在输出端上出现为止的时间间隔。
(5)开关晶体管的上升时间:当开关晶体管从非导通态转变为导通态时,在输出端子上脉冲的数值分别达到规定的上限和下限两个瞬间的时间间隔。
(6)开关晶体管的下降时间:当开关晶体管从导通态转变为非导通态时,在输出端子上脉冲的数值分别达到规定的上限和下限两个瞬间的时间间隔。
(7)最高振荡频率:在规定的条件下,晶体管振荡的最高频率。
(8)特征频率:共发射极小信号短路正向电流传输比的模数|九1e|和测量频率(所选择的测量频率应使|绕1c|以近似6dB/倍频程递减)的乘积。
(9)小信号短路正向电流传输比:在小信号条件下,输出对交流短路时,交流输出电流与产生它的小的正弦输入电流之比。
(10)正向电流传输比的静态值:输出电压保持不变时,输出直流电流与输入直流电流之比。
(11)固有(大信号)正向电流传输比:当集电极一发射极电压值为规定的常数时,集电极直流电流与集电极-基极截止电流的差除以基极直流电流与集电极一基极截止电流的和。
(⒓)小信号开路反向电压传输比:在小信号条件,下输入端交流开路时输入端上的交流电压与施加在输出端上的交流电压之比。
(13)开关晶体管的饱和瞬态电流比:晶体管的瞬态集电极电流与维持饱和所必须的最小基极电流之比。
(14)阿莱电压:在以基极电流作为参变量的集电极电流与集电极一发射极电压的关系图上,把输出特性反向外推到电压轴上,与此交点对应的电压称为阿莱电压,如图5-11所示。
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