场效应管的主要性能参数

   本文在此主要以VDMOS(垂直双扩散MOs)为例进行介绍。VDMOs的结构如图5-20所示。ECE5011-NU

   VDMOs的电性能参数如下。

   (1)阈值电压(开启电压)呢s⑾:栅电压产生的电场控制着源漏间沟道区域流子的产生,使沟道区源端呈强反型时的栅源电压称为阈值电压呢s。对于增强型场效应管为开启电压,对于耗尽型和结型场效应管为夹断电压。

   (2)漏一源击穿电压/l:幻Dss:漏一源击穿电压为场效应管进入恒流区后,使漏极电流骤然增大的漏一源极间电压‰s电压即为漏一源击穿电压。此参数为极限参数,超过此电压场效应管会损毁。

   (3)栅极漏电流JGss:栅极漏电流测试是测试栅极在一定的电压条件下的漏电流,其测试条件将设置‰F0,并将栅极电压设置规定值进行栅极漏电流测试,此参数测试包括正向漏电流和反向漏电流两个参数。

   (4)漏极漏电流rDss:漏极漏电流测试是测试漏极在一定的电压条件下的漏电流,其测试条件将设置呢疒0,并将漏极电压设置规定值,进行漏极漏电流测试。

   (5)导通电阻RDs⑾:导通电阻说明了漏极和源极电压对漏极电流的影响,是转移特性曲线的某点切线的斜率。对一般绝缘栅型场效应管的导通电阻一般在几百Ω以内。

   (6)跨导瓿:跨导表示栅极和源极电压对漏极电流的控制能力,即漏极电流变化量和栅一源电压的变化量的比值。跨导是衡量场效应管放大能力的重要参数。

   (7)开通延迟时间兔㈣、上升时间纬、关断延迟时间兔(。η、下降时间氏:定义如图591所示。

   图5-21 开通延迟时间,上升时间,关断延迟时间,下降时间

   (8)寄生二极管正向压降/sD、反向恢复时间轱(普通场效应管无此参数):这是表征漏一源二极管的特性参数,它的正向压降与普通二极管相同,反向恢复时间标与普通整流管的相近。