(l)标准测试条件:

   如无其他规定,器件应在下述条件下进行电测试:

   环境温度:25℃±~s℃;

   相对湿度:20%~80%;

   大气压力:86kPa~10孤Pa。 A1280XL-CQ172M

   (2)测试时,半导体器件不应承受超过器件最大额定值的工作条件。作为预防措施,应避免引出端误接、反接、短路,应注意防止测试设备开启、关闭而造成的浪涌电流加到器件上。

   (3)测试反向电流很小(如nA级)的器件时,要注意保证测试夹具与测试仪器连接电路的寄生电流或外部漏流远小于被测器件的截止电流或反向电流。当测试电流小于10nA,或者器件本身结电容比较大时,需要增加总延迟及延迟时间来测试,例如使用总延迟50ms延迟40ms,或者总延迟100ms延迟80ms,来保证器件有足够的充电时间。

   (4)当可施加的测试条件有可能对器件产生功率耗散时,为避免器件发热引起的测量误差或损伤器件,应采取脉冲测试。除非另有规定,脉冲时间(轱)不大于10ms,占空比最大2%。在此范围内,脉冲宽度必须长至足以适应试验设备的能力和所要求的准确度,短至足以避免发热。

    ①当测试器件电流大于10OlmA以上时,建议测试时间为:总延迟1ms延迟0,8ms。

   ②当测试器件电流大于1A以上时,建议测试时间为:总延迟0.35ms延迟0.3ms。

   ③坝刂量增强型场效应管(MOS管)的CrFs时,测试时间一定要设定为总延迟0.35ms延迟0.3ms。功率较大时,强烈建议降低电压‰s,否则管子由于温升太大,测试过程中极易损坏。

   ④每种器件的一般测试顺序如下:

   二极管依次为:/F、BVR、fR;

   三极管依次为:ConTc吼、乃FE、击穿类、漏流类、饱和类;

   可控硅依次为:凡T、吒T、其他参数;

   增强型场效应管:进行测试CFs后需重测一些基本参数,以保证器件无损坏,/Gsltll)、丿l]ss、BVDss、rDss、RDs(。lll、GFS、呢sc⑴、JGss。

    (5)一般测试系统中进行击穿类参数测试设定时,通常都需要进行击穿最大值电压的设定,如果不需要测试器件的实际击穿电压值,此设定值比测试结果的最小值稍大即可,建议比最小值大10%,如果要求必须测出器件被击穿时的具体电压值,这时候需设定此值比本批器件的最大电压稍大些即可。