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金属化层从芯片上拉起

发布时间:2019/5/23 21:10:55 访问次数:1506

   失效类别K1S321611C-FI70

   失效类别如下。应记录获得分离所需的应力和分离或失效的主要类别。

   (l)硅断裂。

   (2)金属化层从芯片上拉起。

   (3)黏结区和芯片界面的分离。

   (4)黏结区内的失效。

   (5)黏结基板界面的分离。

   (6)金属化层从基板上拉力。

   (7)基板断裂。

   对标硅的理解

   倒装芯片工艺广泛地应用于芯片与管壳/基板互连中。目前,倒装芯片拉脱试验普遍采用GJB548《微电子器件试验方法和程序》方法2031“倒装片拉脱试验”来测量芯片与外壳/基板之间的键合强度。试验中,要求拉开棒施力与芯片表面法线方向保持在5°范围内,且拉开棒与芯片表面无冲击,但不同的人测试同一批产品,尤其在倒装片的芯片面积比较大时,数值偏差较大,主要是由于拉开棒与芯片表面呈一定的小角度。因此,在试验过程中一定要保持拉开棒施力与芯片表面法线方向的垂直,以求获得准确的测试结果。

   失效类别K1S321611C-FI70

   失效类别如下。应记录获得分离所需的应力和分离或失效的主要类别。

   (l)硅断裂。

   (2)金属化层从芯片上拉起。

   (3)黏结区和芯片界面的分离。

   (4)黏结区内的失效。

   (5)黏结基板界面的分离。

   (6)金属化层从基板上拉力。

   (7)基板断裂。

   对标硅的理解

   倒装芯片工艺广泛地应用于芯片与管壳/基板互连中。目前,倒装芯片拉脱试验普遍采用GJB548《微电子器件试验方法和程序》方法2031“倒装片拉脱试验”来测量芯片与外壳/基板之间的键合强度。试验中,要求拉开棒施力与芯片表面法线方向保持在5°范围内,且拉开棒与芯片表面无冲击,但不同的人测试同一批产品,尤其在倒装片的芯片面积比较大时,数值偏差较大,主要是由于拉开棒与芯片表面呈一定的小角度。因此,在试验过程中一定要保持拉开棒施力与芯片表面法线方向的垂直,以求获得准确的测试结果。

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