试验过程中施加静态偏执条件,要求如下: M24C64-WDW6TP

   (l)器件的偏置电压端施加手册规定的电旺;

   (2)对于高电平有效的输入瑞,通过电阻上拉至电源电压;

   (3)对于低电平有效的输入端,通过电阻下拉至地ε

   具体偏置条件如表3-11所示。

   表⒊11 具体偏置条件

   试验流程

   试验流程采用MOS器件试验流程(见图3-⒓)进行,具体如下:

   第一步:利用UltraFLEX型大规模数字集成电路测试系统对3只(其中一只对比备份样接33x(1±1%)V品)进行电参数测试,测试结果符合详细规范要求。

   第二步:试验现场布置,根据选择的剂量率,将辐照试验板放置在制定的位置,并验证通信正常。

   第三步:开始辐照试验,试验过程中每隔10krad(si)记录电源电流一次。

   第四步:当辐照总剂量达到10Okrad(Si)时,辐照结束。将器件的引脚短接在一起,运输至电参数测试场所进行电参数测试。

   第五步:进行电参数测试,测试结果符合详细规范要求。

   第六步:测试完毕后,将器件的引脚短接在一起,运输至辐照地点,进行50%过辐照追加试验。

   第七步:辐照结束,维持辐照偏置条件进行ΓA=(100±5)℃168小时退火试验。

   第八步:高温退火结束,进行最终点参数测试,测试结果符合详细规范要求。