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   很明显,当主体材料是荧光发射材料时,从主体材料三线态到掺杂磷光三线态的主要能量转移过程是Dexter型能量转移,这就要求较高的掺杂浓度。还必须注意的是,为了防止掺杂磷光材料三线态能量向主体材料三线态的逆向转移,即防止磷光材料上三线态激子向主体材料三线态的扩散,保证主体材料三线态向掺杂磷光材料三线态能级的能量转移过程是放热的,以便提高发光效率和减小效率滑落,还要求主体材料的三线态能级高于掺杂磷光材料的三线态能级,这就是基于磷光机制的有机电致发光领域所关注的三线态载流子限域问题。在评价三线态载流子在掺杂磷光材料上的限域程度时,通常以掺杂材料三线态能级(马D)与主体材料三线态能级(马H)之差fAC・J为判断依据。M,A.Baldo等通过测量器件的瞬态电致发光和拟合得出的光辐射寿命,对不同ΔC的主体材料掺杂磷光材料体系进行了研究。他们发现,由主体材料三线态到掺杂材料三线态的能量转移可以发生在ΔC略微大于0或小于0,以及等于0的体系,但ΔC小于0的体系将有利于两个三线态之间的能量转移囵。Υ KaWamura等研究了不同主体材料中、不同掺杂浓度下,掺杂薄膜的发光量子效率情况。经过分析发现,掺杂薄膜的发光量子效率对主体材料有很强的依赖性lsgl。当蓝色磷光发射材料FIrpic(15.23,bis[(difIuorophenyDpyridinato-N,掺杂在经典磷光主体材料CBP e,bis中时,薄膜的发光量子效率可在高掺杂浓度15%下达到最大,为”%。而当Hrp掺杂在mcⅨm~us(Nˉcarbazolyl)benzen中时,在很小掺杂浓度1,4%时,薄膜的发光量子产率就能够达到100%。

   如图5,25所示,这些差别主要来自于主体材料间HOMO、LUMo及三线态能级的不同。当CBP作为主体材料时,Hrp忆的三线态激子能量大于CBP三线态能量,因此FIrp忆三线态激子易发生向CBP三线态转移的过程,使FIrp忆三线态激子数量减少,导致较低的发光量子效率。当mcP作为Πrp忆的主体材料时,情况有所不同。由于mcP三线态能级高于FIrp忆三线态能级,激子由Hrp忆向主体材料mcP的转移,在热力学角度是不利的,因此Πrp忆的三线态激子可以被限制在Πrp妃本身,而不会向主体mcP移动,导致了较高的光量子产率。