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   在主体材料一掺杂磷光材料体系中,从掺杂磷光材料三线态到主体材料三线态的逆向能量转移过程,可以通过许多途径得到观测或证实。例如,低温下检测主体材料的三线态发光、分析掺杂薄膜在不同温度下发光光谱变化、光诱导吸收谱分析、瞬态发光光谱分析等。

    虽然通过选择三线态能量较高的主体材料,可以抑制磷光掺杂材料激子向主体材料的转移,得到较高的发光效率。但也有使用三线态能量较低的主体材料却得到较高发光效率的特殊例子。如选用三线态能量较低的聚芴衍生物作为一个磷光材料的主体材料时,如果在阳极和掺杂发光层之间嵌人可阻挡电子移出的缓冲层,使电子聚集在发光层内靠近阳极的界面,而阳极注入的空穴可以通过直接俘获的方式注人到掺杂磷光材料中,随后与聚集在界面处的电子复合产生磷光发射,器件的效率可高达36,8cd/A及12.3%。

    研究表明掺杂薄膜的形貌对是否发生从主体材料到掺杂材料的Dexter能量转移过程至关重要,如果掺杂材料的磷光寿命足够短,则在三线态激子能量较高的情况下,也会产生主体材料三线态到掺

杂材料三线态的Dexter能量转移阝到。我们使用新型磷光材料k(BPPya)3制备PhOLED器件,通过器件物理机制研究,指出磷光三线态激子一三线态激子(Tˉη的猝灭作用,可通过激子复合区域的限域及展宽得到抑制,从而得到了效率高、且随电流密度滑落小的高性能器件。