其中9R为显影速率,ε为曝光能量。其中完全显影对应的能量(dose to ),也就是把一定厚度的光刻胶.对一个给定的烘焙和显影程序完全溶解和清洗干净所需要的曝光能量。通常这个能量比曝光能量要低一些。 JA3214-OS-A04在光刻T艺仿真上,由于当今的深紫外化学增幅的光刻胶的对比度都很高,我们可以近似将中的曲线近似为阶跃函数,也就是光刻仿真中的阈值模型(threshold modcl)的由来,当然,我们还需要对空间像做一阶高斯扩散,或者卷积,如式(748)、式(758)、式(770),然后再取阈值,有关如何将光刻胶的显影过程融人光刻工艺仿真和光刻胶显影过程的进一步描述,请参考文献。

   掩膜版的制作使用电子束和激光曝光的方式。由于现代光刻机一般使用4:l的缩小倍率,掩膜版的尺寸是硅片尺寸的4倍♀但是由于日益增加的光刻工艺的掩膜版误差囚子以及对亚衍射散射条(Sut,Resolution Assist Feature,SRAF)的需求,掩膜版的制造也愈发具有挑战性。比如,对于32nm△艺,对掩膜版线宽的要求已经达到了2nm(3倍标准偏差)以内。对于线宽,由于使用了亚衍射散射条,其最小线宽已经达到了70~80nm。无论是电子束曝光也好,激光曝光也好,由于曝光方式是扫描式的,无论掩膜版上的图形如何复杂,或者线宽如何多佯化,电子束、激光束走的路径和历经的格点(grid point)都是一样的。只是在不同的格点处使用的扫描曝光次数不一样。而且,为了提高扫描式曝光方法的速度,通过使用较大光斑的电子束加不同的曝光次数来实现空间像边缘位置的移动。比如,光斑的直径是实际掩膜版格点的4倍(一次扫描可以提高16倍速度),为了表达在实际格点处的边缘,只要将边缘的光斑位置逐次减少曝光次数,以起到匹配边缘的目的。