IGCT采用缓冲层透明发射极
发布时间:2018/1/3 21:25:15 访问次数:455
IGCT采用缓冲层透明发射极ouffcr Laycr Transparcnt Emittcr)技术取代了GTo晶闸管阳极短路技术,从而克服了GTo晶闸管的触发及维持电流急剧增大的弊端,DA28F016SV-100显著降低了触发电流和电荷存储时间。
IGCT还采用了低电感封装技术,使阳极电流在1Ils的时间内全部经门极流出,而不流经阴极,使PNPN的四层结构的晶闸管暂时变为稳定的PNP三层结构,无需GTo晶闸管复杂的缓冲电路。
在获得相同阻断电压的前提下,IGCT芯片可以比GTO晶闸管芯片制作得更薄,薄得如同二极管,故可与反并联的续流二极管集成在同一个芯片上。・
IGCT采用缓冲层透明发射极ouffcr Laycr Transparcnt Emittcr)技术取代了GTo晶闸管阳极短路技术,从而克服了GTo晶闸管的触发及维持电流急剧增大的弊端,DA28F016SV-100显著降低了触发电流和电荷存储时间。
IGCT还采用了低电感封装技术,使阳极电流在1Ils的时间内全部经门极流出,而不流经阴极,使PNPN的四层结构的晶闸管暂时变为稳定的PNP三层结构,无需GTo晶闸管复杂的缓冲电路。
在获得相同阻断电压的前提下,IGCT芯片可以比GTO晶闸管芯片制作得更薄,薄得如同二极管,故可与反并联的续流二极管集成在同一个芯片上。・
相关技术资料- 1-3IGCT采用缓冲层透明发射极
公网安备44030402000607
