由于IGCT像IGBT一样具有快速开关功能,像GTo晶闸管一样具有导电损耗低的特点,DA28F016SV-70故在各种高电压、大电流应用领域中的可靠性更高。IGCT装置中的所有元件装在紧凑的单元中,降低了成本。IGCT采用电压源型逆变器,与其他类型变频器的拓扑结构相比,结构更简单,效率更高。对于4.16kV的变频器,逆变器中需要⒉个高压IGBT,如使用低压IGBT,则需ω个;而同类型变频器若采用IGCT,则只需12个。

   优化的技术只需更少的器件,相同电压等级的变频器采用IGCT的数量只需低压IGBT的1/5。并且,由于IGCT的损耗很小,所需的冷却装置较小,因而内在的可靠性更高。更少的器件还意味着更小的体积。因此,使用IGCT的变频器比使用IGBT的变频器简洁、可靠性高。尽管IGCT变频器不需要限制dIJ/d莎的缓冲电路,但是,IGCT本身不能控制山/d莎(这是IGCT的主要缺点),所以,为了限制短路电流上升率(由/dr),在实际电路中,常串入适当的电抗。