IGCT是将门极驱动电路与门极换流晶闸管(GCT)集成为一个整体而形成的。门极换DA28F016SSV65流晶闸管(GCTl是基于GTO晶闸管结构的一种新型电力半导体器件,它不仅有与GTo晶闸管相同的高阻断能力和低通态压降,而且有与IGBT相同的开关性能,即它是GTo晶闸管和IGBT相互取长补短的结果,是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件,非常适合用于孤V和10kV的中压开关电路。

   IGCT和GTo晶闸管相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低了40%。IGCT不需要吸收电路,IGCT在使用时,只需将它连接到一个20V电源和一根光纤上,就可以控制它的导通和关断。

   由于IGCT的设计比较理想,使得IGCT的导通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。它是一种耐高压大电流器件,具有很强的关断能力,开关速度比GTo晶闸管高10倍。目前IGCT的最高阻断电压为6kV,工作电流为0kA,此外,其最突出的优点是可以取消浪涌电路。

   图2。⒛所示为IGCT的原理框图和电路符号。