文章加入时间：2004年6月25日8:56:00

RF Micro Devices(RFMD)公司日前宣布推出用于蜂窝基站基础设施应用的砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)驱动功率放大器系列。这个由RF3800、RF3802和RF3805组成的多频带平台器件系列具有更高的击穿电压。

RFMD的基础设施产品集团副总裁Jeff Shealy指出：“目前我们正在为基础设施OEM厂商提供这些驱动功率放大器的样品。这些线性放大器能够帮助基础设施制造商满足下一代蜂窝电话的能力要求。与目前采用高成本陶瓷金属法兰(metal-flange)封装的硅LDMOS相比，通过将专有的增强散热性能充分用于我们的GaAs HBT工艺中，并使用散热性能更高的低成本铝氮化合物封装，我们的驱动PA有可能为客户节约30％以上的成本。”

RF3800系列驱动放大器提供了+37dBm的输出功率(P1dB)、高功效(P1dB时大于35%)和高线性(+50dBm OIP3)，并在线性级别AB操作时提供了更高增益(14～20dB)。

通过使用RFMD的高良率GaAs HBT工艺技术，RF3800系列GaAs HBT驱动功率放大器为基础设施应用提供了450MHz～2200MHz的低成本多频带平台。这些驱动功率放大器采用散热性能更高的氮化铝(ALN)LCC-8封装，该封装为低功耗GaAs微波单片集成电路(MMIC)塑料封装前置放大器提供了一个选择，可替代功耗更高的法兰安装式硅LDMOS晶体管。LCC-8无引线封装的占位面积与业界标准的SOIC-8封装一致。ALN LCC-8是一种无铅封装，无需通过欧洲颁布的“有害物质限制使用标准”(RoHS)的验证。