很明显目前的多数封装方式不能满足大功率LED的应用需求。从实用角度上考虑,在S29AL016D70TFI020大部分照明应用中,体积相对较小、安装使用简单的大功率LED器件必将取代传统的小功率LED器件。但是对于大功率LED封装方法,并不能简单的套用传统的小功率LED器件的封装方法与封装材料。大的发热量、大的耗散功率和高的出光效率给LED封装设备、封 装工艺和封装材料提出了新的要求。大功率LED应用领域的不断扩大,由于LED芯片的输入功率不断提高,对这些大功率LED器件的封装技术提出了更高的要求。归纳起来,大功率LED封装技术主要满足下列两点要求:①封装结构要有高的取光效率;②热阻要尽可能低,这样才能保证大功率LED的光学性能和可靠性。

   CoB是英文Chip on Board的缩写,即板上芯片直装。其封装的工艺过程是首先用导热环氧树脂在基底表面覆盖硅片安放点,直接将LED芯片用焊料或粘胶剂粘贴到PCB上,通过引线键合来实现PCB与芯片之间的电气互连技术,其典型结构如图5-75所示。COB技术主要用于大功率多芯片阵列的LED封装,且与SMD乇ED封装相比,它不仅大幅度地提高了封装功率密度,而且降低了封装热阻。PCB板可以采用低成本的Ft4材料,也可以采用陶瓷基或金属基复合材料。